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pbzr1-x-ysnxxxo3陶瓷的制备及介电性能研究 1 pzst电性能 在锆大面积，可以通过添加或替换添加硫酸钠（zr1-x-ynsy）o3（pzst）反铁电陶瓷，得到pb（zr1-x-y）。在此区域通过调整材料的化学配比,或改变温度,PZST陶瓷可以以反铁电态(AFE)、铁电态(FE)或顺电态(PE)等不同结构形式存在,并可利用外场诱导发生相互转变,如电场诱导AFE→FE相变、压力诱导FE→AFE相变等。伴随着电场诱导AFE→FE相变,材料的极化强度发生跃变,并产生大的电致应变,这种应变性能在驱动器、微位移器等方面有广泛的应用前景,而压力诱导的FE→AFE相变则可用在爆电换能方面,因此对PZST电性能进行研究具有重要意义。 本文对位于相界附近反铁电一侧不同组分的PZST反铁电陶瓷,在不同温度、不同偏置电场下的介电性能进行了研究,对反铁电态和铁电态在介电性能上的差异进行了比较。 2 样品3和实验方法 样品制备采用传统的电子陶瓷工艺,掺微量La,化学配比分别为(Pb0.97La0.02)(Zr0.75Ti0.08Sn0.17)O3(样品A1)、(Pb0.97La0.02)(Zr0.75Ti0.09Sn0.16)O3(样品A2)和(Pb0.97La0.02)(Zr0.75Ti0.10Sn0.15)O3(样品A3),位于三元系相图FE-AFE相界附近反铁电一侧。相应元素的分析纯氧化物按一定化学配比称量并富1%质量的Pb,混合球磨,烘干过筛后在900 °C预烧2 h;再经粉碎球磨,压成?12 mm的圆片,在1 240 °C、Pb气氛中烧结2～4 h。制备好的样品加工成0.2 mm厚,两面溅簿金或烧银作电极以备性能测试。 介电温谱的测量采用计算机控制的HP4274A LCR介电温谱测试系统,并具有保护电路。电滞回线的测量采用改进的Sawyer-Tower电路进行,测试频率为0.39 Hz的正弦波,高压电场由Trek Model 609A产生,最大输出电压为±10 kV。全部数据由计算机采集。 3 t-tafe-pe 图1给出了样品A1、A2、A3在不同温度时的电滞回线(P-E曲线)。可以看到样品在所测温度范围内均呈现出反铁电体所特有的双电滞回线,反映了样品在交变电场诱导下反铁电态与铁电态的相互转变过程。 在居里温度Tc以上温区,对正常铁电体而言,低频介电常数与温度的关系满足居里-外斯定律: ε=C/(T-T0) 其中C是居里常量;T0为居里-外斯温度。同样反铁电体在TC以上的高温区也遵从居里-外斯定律。图2给出了反铁电新鲜样品A1在40～270 °C范围1 kHz时的介电常数ε,以及在居里温度TC=175 °C以上用居里-外斯定律拟合的结果。可以看到拟合得很好,满足居里-外斯定律,居里常量C为105K以上,与PbZrO3相同。 图3给出了频率为1 kHz时,所有新鲜样品介电常数随温度和组分的变化。可以看到,在室温附近介电常数较低并随温度缓慢上升,温度进一步升高在AFE-PE相变时出现尖锐的峰。随着Ti含量的增加,峰值介电常数εmax由3 500左右迅速增大到5 000左右,而TC由175 °C缓慢下降到170 °C左右,这与PZT基陶瓷铁电相的居里温度随Ti含量的增加而增加正好相反,反映出铁电态与反铁电态在结构和极化机制上的差异。 图4给出了反铁电新鲜样品A2在不同偏置电场E下介电常数随温度的变化。可以看到,随着E逐渐增大,样品的εmax增大,而TC逐渐向低温方向移动,与一般钙钛矿结构铁电体所呈现出的偏压介电性能变化正好相反,如Pb(Zn1/3Nb2/3)O3、(Ba,Sr)TiO3等铁电体随着E的增大,TC升高,εmax降低。在TC附近,PZST陶瓷ε随E的增大所呈现出的变化规律同样在热释电响应上也有所体现。 在应力作用下,钙钛矿结构铁电体与反铁电体的介电性能变化也是大不相同的。在TC附近,随着等静压力的增大,铁电体的TC下降,如BaTiO3等,而反铁电体的TC则升高,如PbZrO3等。铁电体与反铁电体随电场和压力的增大,在TC附近所呈现出的不同介电响应特性,反映出这两者之间在结构上的差异和极化机制的不同。 根据软模理论,铁电相变的产生联系于布里渊区中心某个光学横模的软化,为长程作用力所驱动;而反铁电相变的产生联系于布里渊区边界某个光学横模的软化,为短程作用力所驱动,这是因为反铁电体中相邻子晶格是反向极化耦合的,因而短程作用力占主导地位。施加电场可增强长程库仑作用力,而施加应力可增强短程作用力,由于电场和应力所起作用不同以及结构上的差异,因而反铁电体呈现出与铁电体不同的相变特性。 4 pzst反铁电陶瓷的介电常数 对位于相界附近不同组分的PZST反铁电陶瓷在不同温度、不同偏置电场下的介电性能进行了研究,结果表明PZST反铁电陶