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半导体封装用键合银丝 Silver bonding wire for semiconductor package YS/T 1105—XXXX PAGE II 目??次 TOC \h \z \t前言、引言标题,1,参考文献、索引标题,1,章标题,1,参考文献,1,附录标识,1,一级条标题, 3 TOC \h \z \t前言、引言标题,1,参考文献、索引标题,1,章标题,1,参考文献,1,附录标识,1,一级条标题, 3 前言 II 1　范围 1 2　规范性引用文件 1 3 要求 1 3.1 产品分类及标记 1 3.2 化学成分 2 3.3 尺寸及其允许偏差 2 3.4 力学性能 2 3.5 表面质量 3 3.6 丝材应力 3 3.7 绕丝要求 3 3.8 放丝性能 3 4 试验方法 3 5 检验规则 4 5.1 检查和验收 4 5.2 组批 4 5.3 检验项目 4 5.4 取样 4 5.5 检验结果的判定 4 6 标志、包装、运输和贮存 5 6.1 标志 5 6.2 包装 5 6.3 运输、贮存 5 7 质量证明书 5 8 订货单（或合同）内容 6 附录A（规范性）银丝表面质量检验方法 7 附录B（规范性）银丝放丝性能检测方法 8 附录C（规范性）银丝线轴规定 9 附录D（规范性）银丝的丝材应力检验方法 9 前??言 本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。 本文件代替YS/T 1105-2016《半导体封装用键合银丝》，与YS/T 1105-2016相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： 更改了规范性引用文件，删除密度的测试方法，增加YS/T 958 银化学分析法 银、铋、铁、铅、锑、钯、硒和碲量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法（见第2章，2016年版的第2章）； 增加了键合银丝CS1（Ag99.99）、合金银丝AS5（Ag88）的产品分类、化学成分、力学性能要求（见第3章）； 更改了银丝的产品标记表述形式（见3.1.2，2016年版的3.1.2）； 更改了银丝的化学成分（见3.2，2016年版的3.2）； 更改了银丝的长度及其允许偏差（见3.3.2，2016年版的3.3.2）； 更改了银丝的力学性能，删除质量和状态要求（见3.4，2016年版的3.4）； 删除了银丝的密度要求及试验方法（见2016年版的4.2）； 更改了银丝检验结果的判定（见5.5，2016年版的5.5）； 更改了附录C银丝线轴规定（见附录C，2016年版的附录C）。 PAGE PAGE 5 半导体封装用键合银丝 范围 本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合银丝（以下简称银丝）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存质量证明书、订货单（或合同）等内容。 本文件适用于半导体封装用键合银丝。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅改日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 8750 半导体封装用键合金丝 GB/T 10573 有色金属细丝拉伸试验方法 GB/T 11067（所有部分） 银化学分析方法 YS/T 958 银化学分析法 银、铋、铁、铅、锑、钯、硒和碲量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法 GB/T 15072 （所有部分）贵金属合金化学分析方法 GB/T 15077 贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法 要求 产品分类及标记 3.1.1 种类、型号和规格 银丝按化学成分分为键合银丝、银合金丝两大类。普通银丝2个型号，是Ag含量99%及以上的银丝，合金银丝可以根据合金元素及其含量不同分为Ag98、Ag97、Ag96、Ag95、Ag88等5个型号。银丝的种类、型号和直径应符合表1的规定。 表1 种类、型号和直径 种类 型号 规格 键合银丝 CS1（Ag99.99） 直径（mm）:0.018,0.019,0.020, 0.022,0.023,0.025,0.028,0.030, 0.032,0.033,0.038,0.040,0.042, 0.045,0.050,0.060,0.075 CS2（Ag99） 合金银丝 AS1（Ag88） AS2（Ag92） AS3（Ag95） AS4（Ag97） AS5（Ag98） 注：根据需方的要求可增加其他直径的银丝。 3.1.2 产品标记 产品标记由产品名称、标准编号、产品型号、银的质量分数和规格组成。标记方法及标记示例如下： □