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薄膜制备实验指导书 实验一磁控溅射法制备金属薄膜 一、实验目的1、了解磁控溅射实验原理2、学会操作磁控溅射仪3、了解影响薄膜质量的因素二、基本原理1、薄膜制备过程 溅射沉积是一种物理气相沉积法，利用带有电荷的离子在电场中加速具有一定动能的特点，将离子引向欲被溅射的靶材。溅射过程是轰击粒子与靶原子之间能量传递的结果。在轰击离子能量合适的情况下，在与靶材表面的原子碰撞过程中，靶材表面原子将获得足够的动能脱离固体表面，这些溅射出来的靶材原子带有一定的动能沿着一定的发向射向衬底，从而实现在衬底上薄膜的沉积（如图1）。在上述过程中，离子的产生过程与等离子体的产生或气体的辉光放电过程密切相关。 ooooooooEooooKoooo?dooo000 ooooooooEooooKoooo?dooo 000。oooooooo Momentumtransfer RepulsiveforcesEjection oooo oooo O00Ooooo 000。 O0OO oooo OOOO0000 图1 气体辉光放电需要的击穿电压： PL Llogp+b 其中，p——腔体压力，L一电极间距，b——常数。 发生溅射需要超过一个阈值能量，当能量较小时发生反弹或表面吸附，而能量较大时，会发生离子注入。溅射过程中激发产生的二次电子可进一步与气体原子碰撞，引发电离或辉光，几种常用气体的电离能见表格1Nitrogen14.53429.601表格1 Nitrogen 14.534 29.601 原子 第1电离能eV 第2电离能eV Helium 24.586 54.416  Oxygen 13.618 25.116 Argon 15.759 27.629 对于以氩离子做为入射离子的情况，入射能量略大于阈值时，产额随能量的平方增加；超过100eV,随能量线性增加；超过750eV,产额将略有增加；1000eV时产额最大（如图2）。选择不同的电离原子，产额有所差异，其中稀有气体有较大的溅射产额。 图345keV离子射向银，铜和钽靶时，溅射产额与轰击离子原子序数的函数关系 图345keV离子射向银，铜和钽靶时，溅射产额与轰击离子原子序数的函数关系 图2对不同材料溅射产额与垂直入射氩离子的离子能 所谓磁控溅射，就是通过在靶材的周围和后面设置磁场，限制二次电子于靶前面，增加轰击率和电离速率，提高溅射效率。 有很多因素影响沉积薄膜的质量，包括电压、真空背底气压、氩气溅射气压、氧分压、流量大小、衬底温度，溅射方式，若是射频溅射，偏压的大小也有一定的影响。在制备薄膜时需要查阅资料获得各个参数，或者自行研究尝试，在表征测试后得到最好的实验条件。 2、薄膜表征（1）SEM：扫描电子显微镜 扫描电子显微镜（ScanningElectronMicroscopic）的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时，被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特低射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子，以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时，也可产生电子-空穴对、晶格振动（声子）、电子振荡（等离子体）。原则上讲，利用电子和物质的相互作用，可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息，如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等等。 （2）XRD：X射线衍射分析 XRD即X-raydiffraction的缩写，X射线衍射，通过对材料进行X射线衍射，分析其衍射图谱，获得材料的成分、材料内部原子或分子的结构或形态等信息的研究手段。 X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射，主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅，这些很大数目的粒子（原子、离子或分子）所产生的相干散射将会发生光的干涉作用，从而使得散射的X射线的强度增强或减弱。由于大量粒子散射波的叠加，互相干涉而产生最大强度的光束称为X射线的衍射线。满足衍射条件，可应用布拉格公式：2dsinO=nX。应用已知波长的X射线来测量0角，从而计算出晶面间距d，这是用于X射线结构分析；另一个是应用已知d的晶体来测量0角，从而计算出特征X射线的波长，进而可在已有资料查出试样中所含的元素。 （3）XRF：X射线荧光光谱分析X射线荧光光谱分析（XRayFluorescence），X射线管产生入射X射线（一次X射线），激发被测样品。受激发的样品中的每一种元素会放射出二次X射线，并且不同的元素所放射出的二次X射线具有特定的能量特性或波长特性。探测系统测量这些放射出来的二次X射线的能量及数量。然后，仪器软件将探测系统所收集到的信息转换成样品中各种元素的种类及含量。X射线照在物质上而产生的次级X射线被称为X射线荧光。 （4）方阻 定义：在一长为l，宽w，高d（即为膜厚），R=p*L/S（电阻定义式），