基于超高频包络信号的gis缺陷识别.docxVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
基于超高频包络信号的gis缺陷识别 0 uhf脉冲信号的采样 封闭式气体隔离装置(gis)广泛应用于城市供电等高压输送系统。GIS具有诸多优点,其发生绝缘故障的概率很小,但是绝缘击穿的后果通常比较严重,因而受到国内外的关注。 局部放电(PD)检测是目前GIS绝缘检测与诊断最有效的方法。局部放电既是GIS绝缘劣化的征兆和表现形式,又是绝缘进一步劣化的原因。超高频(ultra high frequency,UHF)方法具有灵敏度高、抗干扰性能强等优点,是目前应用最为广泛的GIS局部放电在线检测方法。 GIS局部放电产生的UHF信号包含了丰富的信息,它们与放电类型、放电强度、局部放电源位置和传播途径等都直接相关。UHF信号频谱带宽高达GHz,采用数据采集装置直接对UHF 原始信号进行采样,成本高昂、数据量巨大,不适合对现场的GIS进行在线监测。采用频谱仪对UHF 信号实施频谱分析的方法也仅用于实验室研究。 目前使用较多的GIS局部放电检测方法是采用峰值检测电路获取UHF 信号的峰值,再用50 Hz×64样点=3200 Hz(50 Hz工频即50周波/s,每周波采样64点)的采样频率对峰值信号进行采样,然后根据多个周波的局部放电幅值、相位和放电个数图谱特征识别局部放电类型。这种以峰值检波为基础的检测方法使用的采样频率非常低,可能会丢失掉局部放电脉冲信号中的一部分。 有一些研究使用了准包络检波方法获取UHF的信号峰值,并采用20 MHz的采样频率,然后根据单个50 Hz工频周期上放电脉冲的个数和相位信息进行绝缘缺陷类型的模式识别。该方法的主要优点是仅根据单个工频周期中局部放电脉冲信息就能识别缺陷类型,而以峰值检波为基础的方法则需要统计连续多个工频周期中产生的局部放电脉冲才能实现缺陷的识别。 采用超高频包络检波电路可以对UHF信号进行包络检波,去除其载波,得到一个与原信号形状完全相同的包络信号,脉冲波形的频率由300~1500 MHz变换为50 MHz;在对该脉冲信号进行数字化采样后,使用数字信号处理算法和模式识别算法可以剔除干扰脉冲,进行以脉冲波形特征为基础的缺陷模式识别研究。 本文应用超高频包络检波电路提取GIS局部放电UHF信号的包络,对包络信号进行时域特征参数提取,然后采用基于BP神经网络的模式识别方法对缺陷进行分类,获得了很好的GIS局部放电故障缺陷识别效果。 1 gis的错误和检测 1.1 自由金属晶粒的制造和放电 GIS 中有可能出现的绝缘缺陷主要包括:GIS 腔体内可以移动的自由金属微粒、传导部分的接触不良、绝缘子制造时造成的绝缘子内部空隙、试验闪络引起的绝缘子表面痕迹、因电极表面粗糙而产生的或在制造时嵌入的金属微粒等[8,9,10,11,12,13,14]。自由金属微粒在制造、装配和运行中均有可能产生,它有积累电荷的能力,在交流电场的影响下能够移动,在很大程度上其运动与放电的可能性是随机的,当它靠近高压导体且并未接触时,放电最可能发生。高压导体表面在制造不良、安装损坏或摩擦时会造成尖的毛刺,在稳定的工频状态下不会引起击穿,但在冲击、快速暂态过电压的条件下则可能发生放电。绝缘子制造时会造成内部空隙,或者环氧树脂与金属电极的收缩系数的不同,也会形成绝缘子内部气泡和空隙。传导部分的接触不良,尤其是浮动部件会产生很大的放电,且放电趋向于反复。GIS的上述绝缘缺陷极有可能产生局部放电,在绝缘体中的局部放电甚至会腐蚀绝缘材料,进一步发展成电树枝,并最后导致绝缘击穿。根据以上分析,本文设计了5种缺陷模型,分别是:自由金属微粒、高压导体表面针尖、绝缘子内部气泡、绝缘子表面金属微粒和浮动电极等模型。 1.2 等效积分时间条件设计 基于包络检波的GIS超高频局部放电检测系统的硬件结构如图1所示,该系统由内置UHF传感器、UHF放大器、带通滤波器、全球移动通讯系统(global system for mobile communications, GSM)陷波器、包络检波电路和高速数据采集电路等组成,宽带示波器用于采样UHF原始信号。UHF传感器接收到的局部放电信号功率为-80~-15 dBmW(分贝毫瓦),低噪声放大器将此信号程控放大到-40 dBmW,然后经包络检波电路检波。包络检波电路(如图1所示)由高频二极管和高频电容等组成。UHF传感器接收到的电磁波信号频率高达数GHz,因此要求包络检波电路的充电积分时间1 ns,以减小峰值误差。实际的检波电路受到二极管器件固有参数的限制,其室温情况下的等效积分时间常数约为3 ns。因此当该检波电路输入非等幅正弦波GIS局部放电UHF信号时存在一定的峰值检波误差,多次试验对比测试表明该误差≤10%,能满足工程要求。 2 gis缺陷测试 2.1 缺陷模型试验设备 GIS局部放电试验系统包括:无局放高压

文档评论(0)

liummmsssw + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档