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dc-dc转换电路输出电压自适应的检测方案 1 电容电流不连续导通模式 同步压缩式cd-d检测器广泛应用于各种消费电子产品中。它有两种工作模式:电感电流连续导通模式 (CCM) 和电感电流不连续导通模式 (DCM) 。在DCM模式下的电感放电阶段, 若电感电流下降到零以下, 就会出现电流倒灌现象, 极大地消耗原本提供给负载的能量, 导致转换器效率降低。为此, 需要设计一个精准的过零检测电路 (ZCD) , 在电感电流下降到零时能够迅速关断低端整流管, 以避免发生电流倒灌。 2 过零检测比较器输出电压特性 对于降压型DC-DC转换器, 电感电流下降阶段的斜率Sf可以写成: 其中, Vout是转换器的输出电压, L是电感值。可见, 在电感大小固定的情况下, 不同的Vout会导致不同的Sf。当Vout比较小时, Sf小;Vout比较大时, Sf也较大。 图1所示为转换器工作在DCM模式时, 在不同输出电压下的电感电流波形。 图1中, 过零检测比较器的门限设置为电感电流IL恰好等于0, 经过比较器输出延时τ1, 过零检测比较器输出VZCD上升到高电平, 该高电平信号用于关断低端整流管。在这个过程中, 包含驱动逻辑链的延时和低端整流管栅电压下降延时 (二者延时之和记为τ2) , 故从IL到0开始, 直到IL不再下降 (倒灌) 的时间计为τ, 有: 可见, 如果τ固定, Vout越大 (Sf越大) , 倒灌电流Ireverse越大。要解决在Vout大时倒灌电流大的问题, 不能将过零检测比较器的门限设置为电感电流IL略大于0 (因为零门限不准确会造成系统对工作模式的误判) , 而τ2又是固定不变的, 故只能减小τ1。 3 zd电路设计和原理分析 3.1 电流倒灌时v-i转换 ZCD工作期间的降压型转换器等效电路结构如图2所示。在高端整流管 (HS) 关断、低端整流管 (LS) 打开期间, 高端整流管等效为一个反偏截止的二极管, 而低端整流管工作在线性区, 等效为一个非常小的电阻 (本文中设置为50 mΩ) 。正常的电感电流流向是从地流到SW, IL 0, 则SW电压为负值。DCM模式下, 电感电流可能出现负值, 如图1所示出现电流倒灌, 此时SW电压为正值。 ZCD比较器通过检测SW电压是否到达0 来判断电感电流是否出现倒灌。一旦SW为0, VZCD=“1”, 通过驱动逻辑链Driver将低端整流管关断。 图2中, 通过V-I转换器模块采集Vout信息, 这是为了在Vout很大时, 通过增大ZCD模块的供电电流来减小输出延时τ1, 从而减小倒灌电流;而在Vout很小时, 倒灌电流很小, 可以适当减小ZCD模块的供电电流来降低静态功耗。 3.2 mn3的电路修正 传统的V-I转换器电路需要运算放大器, 但增加了静态功耗和芯片面积。一个简单易行的方案如图3所示。图3 中, R1和R2是阻值很大的分压网络, 故从Vout处吸取的电流可以忽略。MP1和MP2是完全一样的PMOS管, MN1和MN2是完全一样的NMOS管, VCC是芯片内部供电电源 (5.5V) , I0是恒定偏置电流, Ibias是提供给ZCD模块的偏置电流。在Vout大时, Ibias大, 则可以有效减小ZCD比较器的延时τ1。 通过图3中右边的分压网络, 可以求得MN3的漏极电流Id3与Vout的关系式: 由于电流镜完全匹配, 有: 由 (3) 式和 (4) 式, 可得: 本文降压型转换器的输入电压Vin=12V, 输出电压Vout范围为3.3~8V。当Vout= 3.3V时, 不需要增加偏置电流Ibias, MN3恰好截止;当Vout3.3V时, MN3导通, 偏置电流Ibias增加, 其作用在第3.3节讨论。当MN3恰好截止时, Ibias= I0。根据 (5) 式, 有: 其中, VTn是NMOS的阈值电压, 在0.5μm BCD工艺中, VTn为0.9V, 而Vout取3.3V, 可得: 3.3 浓度的计算及比较 ZCD比较器探测的是SW处的电压, 由于低端整流管的导通电阻只有50mΩ, VSW变化量很小, 且要求比较器能够在负值电压输入下也能正常工作, 因此设计了图4所示的过零检测电路。 过零检测比较器由三级差分放大组成, 前两级为电阻负载, 最后一级为电流镜负载, 最后一级的输出信号经过反向器整形输出VZCD。由于第一级是电阻负载, 共模输入范围ICMR的下限为: 其中, Id1是M1的电流, VTp是PMOS的阈值电压, 只需Id1RL1|VTp|, 则ICMR下限小于0, 且能满足VSW的要求。 比较器为匹配对称结构, RL1=RL2, RL3=RL4。为了能够灵敏放大VSW的弱信号, 三级放大结构应具有较大的电压增益, 有: 可以看到, 整个电路的偏置电流都