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材料表面分析技术的研究进展 0 表面分析的含义 在固体表面附近的一些原子层中，有许多不同的性质（如化学组成、原子排列、电子状态等）。在表面附近,由于垂直于表面方向的晶体周期性发生中断,相应的电子密度分布也将发生变化,从而形成一空间突变的二维区域。材料的许多重要物理化学过程首先发生在这一区域,材料的许多破坏和失效也起源于表面和界面。同时,由于这一突变区的存在,使材料表面产生许多新的物理化学性质。基于此,世界各国通过各种处理方法使材料表面某种(些)特性突出,或制造具有特殊性质的薄膜来改造材料或器件的功能,使之成为研制开发新材料的一种有效方法。表面分析随之发展起来。 通常情况下,“表面”是指一个或几个原子厚度的表面,而厚一些的表面(如微米级)称为“表层”。但是许多实用表面技术所涉及的表面厚度通常为微米级,因此本文 谈到的“表面分析”,包括表面和表层两部分。为有效进行物质表面分析,上世纪30年代开始,一系列物质表面分析的探测和显微镜技术相继出现并日臻完善,为表面研究提供了良好的实验条件,其基本原理是用一个探束(光子或原子、电子、离子等)或探针(机械加电场)去探测样品表面,并在两者相互作用时,从样品表面发射或散射电子、离子、光子及中性粒子(原子或分子)等。检测这些粒子的能量、质荷比、束流强度等就可得到样品表面的各种信息。根据这些信息的特点,表面分析可大致分为表面形貌分析、表面成分分析和表面结构分析三类。表面形貌分析指“宏观”几何外形分析,主要应用电子显微镜(TEM、SEM等)、场离子显微镜(FIM)、扫描探针显微镜(SPM,如STM、AFM等)等进行观察和分析。表面成分分析包括表面元素组成、化学态及其在表层的分布(横行和纵向)测定等,主要应用X射线光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、电子探针、二次离子质谱(SIMS)和离子散射谱(LSS)等。表面结构分析指研究表面晶相结构类型或原子排列,主要应用低能电子衍射(LEED)、光电子衍射(XPD)、扫描隧道显微镜和原子力显微镜等。由于各种方法的原理、适用范围均有所不同,因而从不同层面给人们提供了认识微观世界的手段。本文简要地讨论上述主要表面分析技术的原理、适用范围及特点等。 1 表面形态分析 用于表面形貌分析的方法主要是各种显微分析技术,如透射电子显微镜、扫描电子显微镜、场离子显微镜、扫描隧道显微镜、原子力显微镜等。 1.1 透射电镜观察 简单地说,透射电镜(TEM,Transmission Electron Microscope)就是一种用高能电子束做光源,用电磁透镜做放大镜的大型电子光学仪器;目前影响电镜分辨本领的电磁透镜球差已减小到接近于零,使电子显微镜的分辨率得到了很大提高,透射电镜的分辨率达到了0.1~0.2 nm。例如采用横截面(Cross Section)样品的透射电镜观察(明场像或暗场像)可以得到清晰的生长方向上金刚石晶体的亚结构及缺陷类型,膜厚度、界面反应产物(或物相)、膜/基界面等微观结构的图像。若配用选区电子衍射(SAED)可以得到不同物相(尤其是界面物相)的晶体结构、组织结构和及其位向关系,而通过平面样品的TEM观察,可以很清晰地显示金刚石晶粒的大小,晶粒内的亚结构及缺陷类型,晶粒间界的微结构信息。 由于受限于电子束穿透固体样品的能力,要求必须把样品制成薄膜,对于常规透射电镜,如电子束加速电压在50~100 kv,样品厚度控制在1000~2000 ?为宜,因此样品的制备比较复杂。 1.2 同步扫描成像成像原理 扫描电镜(SEM,Scanning Electron Microscope)是利用极细电子束在样品表面做光栅状扫描时产生的二次电子或背散射电子量来调制同步扫描的成像显像管电子枪的栅极而成像的,反映的是样品表面形貌或元素分布。近年来,由于高亮度场发射电子枪[以ZrO/w (100)单晶作肖特基式阴极的圆锥阳极型电子枪]及电子能量过滤器等的普遍应用,“冷场”扫描电镜的分辨率已达到0.6 nm(加速电压30 KV)和2.5 nm(加速电压1 KV)。扫描电镜的优点是景深大,样品制备简单,对于导电材料,可直接放入样品室进行分析,对于导电性差或绝缘的样品则需要喷镀导电层。 1.3 spm的发展方向 以扫描隧道显微镜(STM ,Scanning Tunneling Microscope)和原子力显微镜(AFM,Atom Force Microscope)为代表的扫描探针显微术(SPM,Scanning Probe Microscope),是继高分辨透射电镜之后的一种以原子尺寸观察物质表面结构的显微镜,其分辨率水平方向可达0.1 nm,垂直方向达0.01 nm。由于扫描隧道显微镜是以量子隧道效应为基础,以针尖与样品间的距离和产生的隧道电流为指数性的依赖关系成像的,所