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首届全国大学生物理实验竞赛试题解析 1 竞赛命题推动高校物理实验教学改革 2010年12月24日至12月26日，教育部高等教育司举办了第一次全国学生物理实验竞赛。这场比赛由教育部科学和政府部门主持，由学院国家实验教育示范中心联合主席组织，并由中国科技大学实验教学中心组织。比赛的目标是激发学生对物理体验的兴趣和潜力，培养学生的创新能力、实践能力和合作意识，促进学生的物理实践教育改革。来自34名国家物理实验教育试点学院的34名学生（4名团队）参加了比赛。比赛的主题是严格意义上的物理和化学试验。每个队的两名学生分别参加2小时的物理和化学试验。另两名运动员一起参加了8小时的全面和物理实验。经过评估小组和比赛小组的讨论，一个20人的街区测试组选择了一个街区测试组（8个基础测试组、12个综合和研究主题组）。36个二级（基础考试16分、综合和研究20分）、80个三级（基础考试44分、综合和研究36分）。 中国科学技术大学物理实验教学中心承担了本次竞赛的组织、命题, 部分实验仪器装置的研制和实验场地的准备等工作. 本文对首届全国大学生物理实验竞赛的考试结果及竞赛中存在的问题进行了分析, 希望对促进各高校进一步加强学生实践能力的培养, 促进物理实验教学改革提供有益的借鉴. 2 实验装置及测试系统 基础性实验题为“测量霍尔片的电学性质和锑化铟片的磁阻特性”和“用双光栅Lau效应测量平板玻璃的折射率”两道题, 均在独立实验台上的装置完成, 每道题时限4 h. 2.1 问题1显示了霍片的物理性质以及其次，钛片的磁阻特性 2.1.1 磁阻效应的引入 1879年, 美国物理学家霍尔 (Edwin Herbert Hall) 发现了霍尔效应 (Hall effect) . 霍尔效应是指在金属或半导体中通以电流, 并在垂直于电流方向加一磁场时, 在物体中既与磁场又和电流垂直的方向上会产生电势差的现象. 1857年, 英国物理学家威廉·汤姆逊 (William Thomson) 发现了磁阻效应 (Magnetoresistance effect) . 磁阻效应是指半导体在外加磁场作用下电阻率增大的现象. 当半导体受到与电流方向垂直的磁场作用时, 由于半导体中载流子的速度有一定的分布, 某些速度的载流子, 霍尔电场的作用与洛伦兹力的作用刚好抵消, 这些载流子的运动方向不偏转, 而大于或小于此速度的载流子, 运动方向发生偏转, 导致沿电流方向的速度分量减小, 电流变弱, 从而电阻率增加. 2.1.2 导电材料的载流子浓度和电导率的计算 1) 测量霍尔片的不等位电势, 并判断该材料的导电类型, 计算其载流子浓度及电导率; 2) 研究锑化铟片的电阻与磁感应强度变化的关系, 在坐标纸上画出数据点并进行分析. 2.1.3 实验设备 1 电导率的计算 霍尔片 (图1) 、电磁铁 (具体参量见仪器) 、霍尔效应测试仪、双刀双掷开关、导线若干以及小磁针 (箭头指向磁感应强度方向) . 霍尔片几何参量:厚度d=0.500 mm, 宽度b=4.00 mm, 接点A和B间的距离l=3.00 mm. 霍尔电压VH为 VH=EHb=1neISBd=RHISBd, (1) 式中EH为霍尔电场,IS为霍尔片的工作电流,B为磁感应强度,RH为霍尔系数,n为载流子浓度,e为电子电量. 电导率σ为 σ=ISlVσS=ISlVσbd, (2) 式中Vσ为不加磁场时接点A和B之间 (或接点A′和B′之间) 的电压, 称为电导电压,S为霍尔片截面面积. 2 主要参量 锑化铟片 (图2,B为外加磁场的磁感应强度,IS为通过锑化铟片的工作电流) 、电磁铁 (具体参量见仪器) 、稳压电源 (5 V) 、霍尔效应测试仪、滑线式电桥、灵敏电流计、滑动变阻器、电阻箱 (0～100 kΩ) 、双刀开关、单刀开关以及导线若干. 2.1.4 片的磁阻特性测量 第1小题:测量霍尔片的电学性质 (60分) 1) 利用给定的实验仪器设计实验. 2) 在工作电流为3.00 mA时, 测量霍尔片的不等位电势, 简述如何消除不等位电势, 并在实验中消除之. 3) 判断霍尔片的导电类型. 4) 励磁电流在0.600 A、并且工作电流在0～4.00 mA范围内, 测量霍尔电压与工作电流的关系并在坐标纸上作图. 5) 工作电流在3.00 mA、并且励磁电流在0～0.800 A范围内, 测量霍尔电压与励磁电流的关系并在坐标纸上作图. 6) 工作电流在0.10 mA、并且励磁电流为0时, 测量电导电压. 7) 计算霍尔片的载流子浓度以及电导率. (不要求评估结果的不确定度) 第2小题:测量锑化铟片的磁阻特性 (40分) 1) 利用给定的实验仪器设计实验. 2) 画出测量框图. 3) 线圈的励磁电流在0～0.800 A之间