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半导体材料的发展与应用 1 光纤通信技术的发展 在本世末，用单晶硅材料和半晶硅材料的发明以及硅电路的研发导致了电子工业生产，严重影响了世界政治经济模式和军事对抗的形式，彻底改变了人们的生活方式。70年代初,石英光导纤维材料和GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及其GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从过去的“杂质工程”发展到“能带工程”,出现了以“电学特性和光学特性可剪裁”为特征的新范筹,使人类跨入到量子效应和低维结构特性的新一代半导体器件和电路时代。半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会高技术产业的基础材料。它的发展将会使通信、高速计算、大容量信息处理、空间防御、电子对抗以及武器装备的微型化、智能化等这些对于国民经济和国家安全都至关重要的领域产生巨大的技术进步,受到了各国政府极大的重视。下面就几种主要的半导体材料研究进展作一简单地介绍。 2 一些主要材料的发展现状和趋势 2.1 直径和尺寸硅模型 从提高硅集成电路成品率,降低成本看,增大直拉硅(CZ-Si)单晶的直径仍是今后CZ-Si发展的总趋势。目前直径为8英寸(200mm)的S i单晶已实现大规模工业生产,基于直径为12英寸(3 0 0 m m)硅片的集成电路(I C)技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前已有一个300mm硅片的超达规模集成电路(ULSI)试生产线正在运转,另外几个试生产线和一个生产线业已建成。预计2001年300mm,0.18μm工艺的硅ULSI生产线将投入规模生产,300mm,0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。直径18英寸硅片预计2007年可投入生产,直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。日本1999年,国内生产6～12英寸的硅单晶为7000吨(8000亿日元)。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片也已研制成功。 从进一步提高硅IC的速度和集成度看,研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。目前,直径8英寸的硅外延片已研制成功,更大尺寸的外延片也在开发中。 理论分析指出,3 0 n m左右将是硅M O S集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题,更重要的是将受硅、S i O2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料(如用Si3N4等来替代SiO2),低K介电互连材料,用C u代替A l引线以及采用系统集成芯片(system on a chip)技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能,但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此,人们正在寻求发展新材料、新技术,如,纳米材料与纳米电子、光电子器件、分子计算机、D N A生物计算机、光子计算机和量子计算机等。其中,以GaAs、I n P为基的化合物半导体材料,特别是纳米半导体结构材料(二维超晶格、量子阱,一维量子线与零维量子点材料)以及可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等是最有希望的替补材料之一。 2.1 si-gaasinp的研究 GaAs和I n P是微电子和光电子的基础材料,为直接带隙,具有电子饱和漂移速度高、耐高温、抗辐照等特点,在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路,特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。 目前,世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨(日本1999年的GaAs单晶的生产量为94吨,G a P为2 7吨),其中以低位错密度的V G F和H B方法生长的2～3英寸的导电GaAs衬底材料为主;近年来,为满足高速移动通信的迫切需求,大直径(4,6和8英寸)的SI-GaAs发展很快,4英寸70cm长,6英寸35cm长和8英寸的半绝缘砷化钾(S I-G a A s)也在日本研制成功。美国摩托罗拉公司正在筹建6英寸的SI-GaAs集成电路生产线。预计1998～2003年,GaAs外延片市场以每年30%的速度增长(SI-GaAs片材1998年销售为1.24亿美元)。InP具有比GaAs更优越的高频性能,发展的速度更快;但不幸的是,研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破,价格居高不下。 GaAs和InP单晶的发展趋势是:(1)增大晶体直径,目前3～4英寸的SI-GaAs已用于大生产,预计21世纪初的头几年直径为6英寸的SI-GaAs也将投入工业应用。(2)提高材料的电学和光学微区均匀性。(3)降低单晶的缺陷密度,特别是位错。(4)GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展 2.3 新一代人工构造材料 半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术(