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稀土薄膜在电子领域中的应用 1 光伏器件材料的发展 结晶薄膜由许多不同大小的小晶块组成，具有不同的晶面方向。高质量多晶硅薄膜的许多性能参数都可用单晶硅(c-Si) 和非晶硅氢合金(a-Si∶H)薄膜的参数来代替。多晶硅薄膜在长波段具有高光敏性,对可见光能有效吸收,且具有与晶体硅一样的光照稳定性,因此被公认为高效、低耗的最理想的光伏器件材料。另一方面,大晶粒的多晶硅薄膜具有与晶体硅可相比拟的高迁移率, 可以做成大面积、具有快速响应的场效应薄膜晶体管、传感器等光电器件,从而在开辟新一代大阵列的液晶显示技术、微电子技术中具有广阔应用前景。 生长多晶硅薄膜的方法有液相生长法,化学汽相沉积法,激光再晶化法和固相晶化法等。液相生长法是一种高温过程;化学汽相沉积法的多晶硅晶粒尺寸很小;激光再晶化法难以制备大面积薄膜, 而且晶粒尺寸和均匀性也难以控制;传统的固相晶化法(SPC)也必须在高温(600℃)下获得。上述各种技术都不适合应用于以玻璃为衬底、大面积的薄膜太阳能电池。近几年,人们多用两种方法:(1)射频辉光放电PECVD法制备掺杂氢化非晶硅,再低温固相晶化,(2)用卤硅化合物作为气源,直接用PECVD法在低温下沉积,可获得大晶粒、高电导率的优质多晶硅薄膜。本文综述多晶硅在薄膜硅太阳能电池上的应用、半导体多晶硅薄膜的结构特点、低温(600℃)制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展。 2 薄膜太阳电池材料 随着世界能源需求的日益增大和传统能源对环境污染的日趋严重,实现无污染的无公害的能源世界,成为世界各国政府可持续发展能源的战略决策。众所周知,太阳光是取之不尽、用之不竭的干净的能源。而阳光发电是大规模经济利用太阳能的重要手段。由于晶体硅制成的太阳电池价格昂贵,难以进入民用。用 a-Si∶H 薄膜制备的太阳电池转换效率不高,且在长时间光照下,效率会衰减(S-W 效应),使其应用受到限制。多晶硅薄膜集晶体硅和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,因此被公认为高效、低耗的最理想的薄膜太阳电池材料。理论计算表明, a-Si/poly-Si 叠层太阳电池效率可达28%。Kaneka 公司设计的STAR结构的多晶硅太阳电池,效率已达10.7%(5μm), 且没有光致衰退现象。而另一种SOI结构的多晶硅薄膜太阳电池(面积10cm×10cm)获得了高达14.22%的效率。H.Morikawa 等更是制造了效率高达16%的多晶硅薄膜太阳电池。理论和实验都表明,多晶硅薄膜太阳电池有可能成为21世纪比非晶硅更为优越的民用太阳电池。因此,如何制造高效率、低成本、长寿命的多晶硅薄膜太阳电池,成为目前全世界科学家的共同课题。 3 晶界对电池性能的影响 多晶硅薄膜是由许多大小不等、具有不同晶面取向的小晶粒构成的。晶粒与晶粒之间的区域称为晶界。晶界和晶粒的结构不同,它们的原子化学势也不同。晶界包含很多复合中心(悬挂键或杂质),光致载流子在被结分开之前,如果碰到晶界,会导致电子和空穴的复合,从而降低电池效率。所以晶界对太阳电池性能的影响很大。在一定的生长条件下,晶粒有一种主要的生长取向,称为择优取向。择优取向对多晶硅薄膜的性能影响很大。如果晶粒生长得象一根根柱子垂直于衬底,整片多晶硅薄膜就如同很多的小单晶并列而成,这样的多晶硅薄膜制成的薄膜太阳电池,光致载流子穿过整个电池时可以不碰到晶界,极大地减少光致载流子的复合,提高电池效率。因此,如何加大晶粒粒度从而减少晶界,如何钝化晶界,如何使晶粒具有择优取向从而避开晶界的影响,是制备优质多晶硅薄膜的主要研究方向。 4 低温制膜技术 为了制备适用于以玻璃为衬底的太阳能电池的多晶硅薄膜,近几年发展了低温(600℃)制膜技术。按其成膜过程可分为两大类:一类是先制备非晶态材料,再固相晶化为多晶硅;另一类是直接在衬底上沉积多晶硅薄膜。 4.1 薄膜的生长和转化 固相晶化(SPC)法的特点是非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。低造价太阳电池多晶薄膜,一般用廉价的玻璃作为衬底,硅烷气体作原材料,用PECVD 方法生长a-Si∶H 薄膜,然后用热处理的方法使其转化为多晶硅薄膜。这种技术的优点是能制备大面积的薄膜,可进行原位掺杂,成本低,工艺简单,易于形成生产线。三洋电力有限公司的Takao Matsuyama,et al. 用改进的SPC方法制成了高质量的n 型多晶硅薄膜,用其作为光生伏打层,第一次发展了poly-Si薄膜太阳电池。下面简述3种改进型SPC技术。 4.1.1 薄膜的a-si 为了增大晶粒的尺寸,必须在SPC的初始阶段降低核的数目,并使晶粒从已形成核的位置成长,以促进大晶粒多晶硅薄膜的生长。Takao Matsuyama等采取了一种方法,把薄膜的生长分离成成核层和晶体成长层。 a-Si薄膜分成两部份—掺杂层和非掺杂层。如图1所示。其中图