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一种高特性阻抗超宽谱脉冲功率合成结构 功率合成是改善超宽谱电磁脉辐射强度的有效途径之一。超宽谱脉冲功率合成通常有2种方式:一种是空间功率合成, 采用辐射天线组阵的方式, 每个阵元同步输入1路超宽谱脉冲, 然后在空间进行场强叠加, 该合成方式具有高方向性、高增益的特点, 在高功率系统中应用较多, 但通常系统体积庞大。另一种方式是线路功率合成, 多路脉冲合成后共用一副天线进行辐射, 在高功率系统中通常采用多路同轴线并联输出后, 馈入辐射天线发射, 由于并联后输出端特性阻抗降低, 因此, 在与高特性阻抗的辐射天线连接时, 通常需要接入一段高变比的变阻抗线, 这导致系统合成效率降低。另外, 使用专门设计的高效率功率合成器也是功率合成的一条途径, 但会限制系统的功率容量。在低功率系统中, 目前应用最多的是微带线线路合成方式, 该方式具有结构简单、紧凑的特点, 但这种方式会导致合成后带宽降低, 输出脉冲前沿变慢, 损耗较大, 合成效率不高。基于传输线变压器 (transmission line transformer, TLT) 原理进行功率合成是近期开始应用的一种新颖、高效的合成方法, 目前主要应用于阻抗变换及窄带功率合成中。文献研究了一种基于传输线变压器的串并混合窄脉冲功率合成装置, 能将幅度约为4.5kV/50Ω、前沿为1.5ns的4路窄脉冲合成为1路8.8kV/50Ω、前沿为2.1ns的窄脉冲, 功率合成效率约95.6%, 验证了用该方法进行超宽谱脉冲功率合成的可行性, 但是合成后脉冲前沿明显变慢, 导致辐射效率降低。 本文基于传输线变压器原理, 采用同轴线两级串联的方法设计了一种超宽谱脉冲功率合成结构, 并应用于前沿200ps的超宽谱窄脉冲合成。 1 合成结构原理 超宽谱脉冲功率合成需要解决3个问题:首先, 尽可能提高合成效率, 这是超宽谱功率合成要解决的最主要问题;其次, 要将脉冲源、合成结构及辐射天线结合起来, 减少阻抗失配, 以提高馈电效率;最后, 合成脉冲不能发生大的畸变, 若脉冲波形发生变化导致前沿变慢, 将降低天线的辐射场强, 影响辐射效果。基于以上认识, 设计了如图1所示的合成结构。该结构采用两级合成方式, 第1级由4根等长的50Ω同轴传输线组成。每根同轴传输线接1路输出特性阻抗为50Ω超宽谱脉冲源。每2根同轴线组成传输线变压器, 在输出端串联后各接1根特性阻抗为100Ω的同轴传输线。2根100Ω同轴线再组成传输线变压器构成合成结构的第2级, 在输出端进行串联后接特性阻抗为200Ω的超宽带辐射天线。这样, 从脉冲源输出端的50Ω至辐射天线的200Ω, 理论上实现了阻抗匹配, 尽可能地提高了馈电效率。合成结构采用同轴线, 也比通常的微带线损耗小、带宽高, 可在提高传输效率的同时减少脉冲畸变。同时可以看出, 在每一个传输线变压器中都存在一个短路回路, 这会对脉冲传输造成负面影响。在窄谱脉冲基于传输线变压器的合成方式中, 通常采用加磁环的方式抑制短路回路的影响, 然而, 由于超宽谱脉冲的脉宽很短, 只要使每根同轴线的电长度不低于传输脉冲脉宽电长度的一半, 即可消除短路回路对主脉冲造成的影响, 不会使传输脉冲发生畸变。 2 抛物反射面天线 实验所用的脉冲源为半导体器件全固态电路脉冲源, 具有重复频率高、抖动小的特点。每路脉冲源输出超宽谱脉冲波形如图2所示。脉冲前沿为200ps, 半高宽为600ps, 峰值电压为1.7kV。 辐射天线采用共面TEM馈电结构的抛物反射面天线, 如图3所示。天线直径为2.1m, 由2对特性阻抗各为400Ω的馈臂并联组成, 并联成200Ω后连接功率合成结构。 4路合成结构如图4所示, 最下面为4根50Ω同轴线, 各接1路脉冲源, 串联合成后各接1根100Ω同轴线, 再串联合成为200Ω后馈入超宽带天线。 3 辐射场测试结果 4路脉冲波形一致并同步输出是进行功率合成的前提条件。实验首先对每路脉冲源单独接天线进行辐射, 连接方法在文献中已有详述, 测量主轴辐射场rEp值、rEp, p值及脉宽tp, p。其中, r为测试距离, 实验中r为50m;Ep为峰值场强;Ep, p为峰-峰值场强。对超宽谱脉冲远场主轴辐射场, rE为恒值, 该值通常为衡量超宽带天线辐射性能的重要参数。测试结果如图5所示。所有结果均为多次测量的平均值, 可以看出, 4路辐射场波形一致性很好, 脉宽都为570ps, 每路幅值稍有差异, 同步性较好, 测得4路同步最大延迟为20ps。 将4路脉冲源采用前述方法进行合成后馈入超宽带天线进行辐射。测得合成后不同重复频率下的辐射场波形如图6所示。 对单次合成波形, 测得辐射场rEp为18.5kV, rEp, p为34.8kV, 约为单路脉冲辐射场的2倍。对于功率合成效率的计算, 由于辐射场r