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半导体的生产工艺流程 微机电制作技术，特别是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon-basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，因此必须先介绍清晰这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。 干净室? 普通的机械加工是不需要干净室(cleanroom)的，由于加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。? 为此，全部半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是干净室的来由。干净室的干净等级，有一公认的原则，以class10为例，意谓在单位立方英呎的干净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。因此class后头数字越小，干净度越佳，固然其造价也越昂贵。? 为营造干净室的环境，有专业的建造厂家，及其有关的技术与使用管理方法以下： 1、内部要保持不不大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。因此需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入干净室中。? 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。? 3、全部气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在干净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、全部建材均以不易产生静电吸附的材质为主。? 5、全部人事物进出，都必须通过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘先行去除。? 6、人体及衣物的毛屑是一项重要粉尘来源，为此务必严格规定进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员同样。)固然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也严禁使用。? 7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。一则避免水中粉粒污染晶圆，二则避免水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管构造之带电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏，普通规定至17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗入、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才干放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！? 8、干净室全部用得到的气源，涉及吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气(98%)，吹干晶圆的氮气甚至规定99.8%以上的高纯氮！以上八点阐明是最基本的规定，另尚有污水解决、废气排放的环保问题，再再需要大笔大笔的建造与维护费用!? 晶圆制作? 硅晶圆(siliconwafer)是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体，显然是通过纯炼与结晶的程序。现在晶体化的制程，大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky)拉晶法(CZ法)。拉晶时，将特定晶向(orientation)的晶种(seed)，浸入过饱和的纯硅熔汤(Melt)中，并同时旋转拉出，硅原子便根据晶种晶向，乖乖地一层层成长上去，而得出所谓的晶棒(ingot)。晶棒的阻值如果太低，代表其中导电杂质(impuritydopant)太多，还需通过FZ法(floating-zone)的再结晶(re-crystallization)，将杂质逐出，提高纯度与阻值。 半导体制程设备? 半导体制程概分为三类：(1)薄膜成长，(2)微影罩幕，(3)蚀刻成型。设备也跟着分为四类： (a)高温炉管，(b)微影机台，(c)化学清洗蚀刻台，(d)电浆真空腔室。其中(a)~(c)机台依序对应 (1)~(3)制程，而新近发展的第(d)项机台，则分别应用于制程(1)与(3)。由于坊间不乏介绍半导体制程及设备的中文书籍，故本文不刻意锦上添花，谨就笔者认为较有趣的观点，描绘一二！ (一)氧化（炉）（Oxidation） 对硅半导体而言，只要在高于或等于1050℃的炉管中，如图2-3所示，通入氧气或水汽，自然能够将硅晶的表面予以氧化，生长所谓干氧层(dryz/gateoxide)或湿氧层(wet/fieldoxide)，当作电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。氧化是半导体制程中，最干净、单纯的一种；这也是硅晶材料能够获得优势的特性之一（他种半导体，如砷化镓GaAs，便无法用此法成长绝缘层，由于在550℃左右，砷化镓已解离释放出砷！）硅氧化层耐得住850℃~1050℃的后续制程环境，系由于该氧化层是在前述更高的温度成长；但是每生长出1微米厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉0.44微米的厚度。下列是氧化制程的某些要点： （1）氧化层的