CF1101型硅基电容器技术规范（征求意见稿）.docxVIP

1 T/GDE IIA XXXXX—2023 CF1101 型硅基电容器技术规范 1 范围 本文件规定了CF1101型硅基电容器的技术要求、质量保证规定、包装、运输和贮存 本文件适用于CF1101型硅基电容器产品的质量控制。 注：在不引起混淆的情况下，本文件以下将“CF1101型硅基电容器”简称为“ 电容器”。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 191-2008 包装储运图示标志 GB/T 2828. 1-2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 2693-2001 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2900.16- 1996 电工术语 电力电容器 GJB 150. 10A-2009 军用装备实验室环境试验方法 第10部分：霉菌试验 GJB 2442A-2021 有失效率等级的单层片式瓷介电容器通用规范 GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 GJB 548C-2021 微电子器件试验方法和程序 GJB 4152A-2014 多层瓷介电容器及其类似元器件剖面制备及检验方法 3 术语和定义 GJB 360B-2009和GJB 548C-2021界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 电容量 Capacitance 在其他导体的影响可以忽略时， 电容器的一个电极上贮积的电荷量与两电极之间的电压的比值。 [来源：GB/T 2900.16- 1996] 3.2 损耗角正切 Tangent of the loss angle 在规定频率的正弦电压下， 电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。 [来源：GB/T 2693-2001] 3.3 额定电压 Rated voltage 设计电容器时所规定的电压（交流时为方均根值）。 [来源：GB/T 2900- 1996] 3.4 寿命（试验） Life（test） 2 T/GDE IIA XXXXX—2023 为确定电容器失效前的工作时间而进行的试验。 3.5 霉菌（试验） Fungus（test） 为确定电容器上长霉程度和长霉对产品性能及其他相关特性影响而进行的试验。 4 技术要求 4.1 总则 电容器应符合本文件和GJB 2442A-2021规定的所有适用要求。当本文件的要求与GJB 2442A-2021 不一致时，应以本文件为准。 4.2 产品鉴定 电容器应按照本文件的规定进行鉴定。 4.3 质量保证 按本文件供货的电容器，承制方应按程序要求进行鉴定和维持。 4.4 材料 电容器采用表面有绝缘层的重掺硅基片进行表面金属化处理形成电极，引出端电极表面为金层。 4.5 设计结构和外形尺寸 4.5.1 电容器本体设计 电容器本体结构是介质薄膜层，由物理或者化学沉积的方法在重掺硅衬底上制得，再在硅衬底和介 质薄膜层的表面金属化处理形成电极，最后通过切割而成的。 4.5.2 型号规格 “CF1101” 型硅基电容器命名规则如下： CF1101SG — N — 30 — 50V — 470 — M — S — T — W ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ 1 “CF1101”表示硅基电容器类型,后两位字母表示产品外形：“SG”表示正方形结构；“SL”表示长 方形结构；“SP”表示多电极结构。 2 “N”表示容量温度系数，容量温度系数为±100ppm/℃。 3 表示尺寸宽度，例如，“30”表示尺寸宽度为 30 mil。 4 表示额定电压，采用直标法，以伏特（V）为单位，例如，“50V”表示额定电压为 50V。 5 表示标称电容量，以皮法拉（pF）为单位，用三个数字或数字加字母 R 表示。用三个数字时， 前两个数字为有效数字，最后一个数字表示零的个数，例如，“470”表示 47pF；当标称电容 量小于 10pF 时，用字母 R 表示小数点，字母前的数字为个位数，字母后的数字为小数位， 例如，“4R7”表示 4.7pF ，“R75”表示 0.75pF。 6 表示电容量允许偏差，用大写字母表示，具体代码见 4.7。 7 表示电极外形。对产品外形代码为 SG 及 SL 的产品，“S”表示单留边，“D”表示双留边；对产 品外形代码为 SP 的产品，电极外形代码为 1～10 数字序号，表示电极块的数量，例如，“3” 表示 3 电极块。 3 T/GDE IIA XXX