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基于等效电路模型的单刀单掷开关设计 1 民模和无源器件模型 在过去的50年里，砷化微波单段波形（gaasmmic）在军事和民用领域得到了广泛应用。目前,以PHEMT器件为主的MMIC电路正引起人们极大的兴趣。在GaAs MMIC电路的发展过程中,器件模型起着极其重要的作用,且在工艺设计和电路设计之间发挥着不可替代的“桥梁”作用。根据使用的器件类型,模型可分为有源器件模型和无源器件模型,而在微波频域内 (通常为1~20 GHz),无源器件模型可借助于解析表达式或有限元分析得到。因此,获得精确的有源器件模型成为MMIC电路设计的关键。对于开关、衰减器、移相器等控制电路而言,就是如何得到精确的开关模型。 虽然对FET开关模型的研究已有多年,但是大多数的研究都集中在单个器件的等效电路拓扑优化和等效电路参数优化算法上,很少涉及多种结构尺寸开关的仿真设计。文中将在传统的FET等效电路模型的基础上,提出采用直接参数提取和优化相结合的方法,分析0.25 μm GaAs PHEMT器件的开关模型,并得到相应的结构可缩放模型。 2 phemt开关 和传统的用于放大电路的有源器件相比,在控制电路中的PHEMT器件,其基本的物理结构是相同的,只是具体的工作状态不同而已。当PHEMT器件用作开关时,源、漏端为射频信号端,栅为直流控制端。通过改变栅端的偏置电压来控制源漏间阻抗,从而实现开关状态的转换,即栅偏置为零时的源漏间低阻抗,和栅负偏大于夹断电压时的源漏间高阻抗。此外,为了防止射频泄露,在版图设计中,栅端通常外接大电阻或低通滤波电路。本设计采用了3 kΩ的有源电阻,由此得到的开关结构如图1所示。 在GaAs MMIC电路中,衡量开关微波性能的主要指标为:“开”态插入损耗和“关”态隔离度,可用开关的导通电阻Ron和截止电容Coff来表征。为了获得更好的电路性能,通常要求开关具有较小的插入损耗和较高的隔离度,从等效电路的角度来看,就是要具有较低的导通电阻和截止电容。根据上述对开关工作原理的分析,并借助于FET小信号等效电路模型,从而得到PHEMT开关的等效电路拓扑 (图2)。 图2中,Rs、Rd、Ls、Ld、Cps、Cpd为和工作点无关的寄生参数;Rds、Cgs、Cgd和Roff、Coff、Cb分别对应于开/关态的本征参数;当开关导通时,导通电阻Ron为Rs、Rds、Rd之和。由于栅端通过外接大电阻实现射频隔离,所以栅端的等效电路可简化为3 kΩ的电阻。 3 结构尺寸phemt开关模型建立 因为对PHEMT开关模型的研究是在测试的基础上完成的,所以测试方法和测试系统的精度对提取的等效电路参数将起着决定性的影响。在由HP8510C、HP4142B和Cascade探针台构成的在片测试系统中,测量的频率范围为0.1~26.5 GHz,可实现0.1~20 GHz频域内PHEMT开关高精度的直流和微波测试。为了消除测试结构对管芯的影响,根据相关的文献资料,在PHEMT开关的微波测试中将采用Open-Short法进行测试数据的剥离运算,其中剥离用的Open、Short测试结构与PHEMT开关制作在同一块圆片上,以最大限度地消除各种可能的影响。测试系统的校准采用SOLT法。 和经典的FET小信号等效电路模型相比,PHEMT开关的模型参数较少,因而可通过优化的方法实现模型参数的提取,即通过改变模型参数值使得由模型仿真得到的S参数与实际测量得到的S参数在工作频域内相吻合。S参数优化的结果主要取决于优化参数设定的初值、可变范围和优化方法等。利用优化的方法来实现模型参数的提取,这对单个PHEMT开关建模是可行的,但当对多种结构尺寸开关建模,并欲得到和结构尺寸相关的缩放模型时,则有一定的困难 (尤其是寄生参数部分)。为了最大限度地提高参数的提取精度,减少被优化参数的个数,文中将采用参数直接提取和优化相结合的方法,来得到PHEMT开关的等效电路参数,具体的建模过程如下: ① 直接提取器件的寄生参数 在ICCAP软件中,综合运用各种测试方法,如端电阻法、Cold-FET法、Pinch-off法,来实现寄生电阻、寄生电感和寄生电容的参数提取,提取得到的寄生参数在后续的优化过程将不再改变。 ② 优化提取“开”态本征参数 在ADS软件中,根据测试得到的“开”态S参数,优化本征参数Rds、Cgs和Cgd。 ③ 优化提取“关”态本征参数 在ADS软件中,根据测试得到的“关”态S参数,优化本征参数Roff、Coff和Cb。 重复上述步骤,可实现各种结构尺寸PHEMT开关的建模,并能得到相应的等效电路参数。通过研究上述参数与结构尺寸之间的关系,便可得到PHEMT开关的结构缩放模型。图3为 0.25 μm 10×80 μm GaAs PHEMT开关“开/关”态S参数的仿真与测试结果。表1为提取的