（芯片设计）硅片加工倒角.pdfVIP

上章内容 n 晶体XRD定向 n 粘接硅棒 n 多线切割机切割 n 冲洗 n 去胶 n 冲洗，烘干 第 1 页 共 87 页 切片过程的评估 n 定向的 确性 n 切割出的硅片最小厚度、厚度均匀性 n 表面参数——平整性，弯(翘) 曲度，碎裂 n 结构参数——损伤层 （如晶格畸变），应 力分布～30um n 洁净性 （加工带来的污染）——金属、有 机、表面部分氧化层 n 切割效率 第 2 页 共 87 页 后续工艺 n 去除表面损伤层，——研磨 （磨片） n 消除内应力——可能引起碎裂——倒角， 退火 n 清理表面污染物，——表层切除，清洗， 背封，背损伤 n 确保电阻率温度稳定性——退火 第 3 页 共 87 页 第三章