（芯片设计）硅片加工倒角.pptVIP

上章内容;切片过程的评估;后续工艺;第三章 硅片的倒角、研磨和热处理;工艺介绍;1. 倒角;倒角;;有参考面的倒角;倒角粗糙度的控制;两种典型的倒角;倒角的主要参数;θ＝11°;倒角的流程;影响倒角的因素;倒角的故障;;解决中心定位问题;2. 硅片的研磨;1）硅片研磨;;2）研磨基本知识;(1) 研磨中的机理： a. 挤压切削过程。磨粒在一定压力下，对加工表面进行挤压、切削。 b. 化学反应。有些磨料可以先把工件表面氧化，再把氧化层进行磨削。这样可以减慢切削速度，提高最终加工精度。 c. 塑性变形。获得非晶的塑性层，最终去除。;(2) 研磨浆主要包括： a. 磨料：粒度小，则磨削的表面粗糙度小，加工精度高. 但是加工速度慢。粒度大，则加工速度快，但是加工粗糙度大。 基于效率和精度要求：先用粗磨料加工，再用细磨料加工。 磨片中，磨粒通常采用金刚砂，即SiC颗粒。;不同大小磨粒的磨削比较;b. 磨削液的作用： 冷却作用：把切割区的热量带走。 排渣作用：将研磨屑和破碎的磨粒冲走。 润滑作用：减小磨粒和表面的机械摩擦。 防锈作用：磨粒除了磨削工件，对金属底盘也进行切削，要防止金 属底盘生锈。 磨片中，磨削液通常采用水。;c. 助磨剂等 助磨剂：加速材料磨削速度，并保证平整度，保证磨粒悬浮性，通常一些氧