项目3　清 洗 工 艺.pptVIP

3.3清洗方法概况1)被清洗的工件送入真空舱并加以固定，启动运行装置，开始排气，使真空舱的真空程度达到10Pa左右的标准真空度。

2)向真空舱引入等离子清洗用的气体，并使其压力保持在100Pa。

3)在真空舱内的电极与接地装置之间施加高频电压，使气体被击穿，并通过辉光放电而发生离子化并产生等离子体。

4)清洗完毕后切断高频电压，并将气体及汽化的污垢排出，同时向真空舱内鼓入空气，并使气压升至一个大气压。3.4常用清洗设备——超声波清洗设备图3-3全自动硅片超声波清洗机3.4.1超声波清洗原理3.4常用清洗设备——超声波清洗设备超声波在本质上和声波是一样的，都是机械振动在弹性介质中的传播过程，超声波和声波的区别仅在于频率范围的不同。声波是指人耳能听到的声音，一般认为声波的频率在20～20000Hz范围内，而振动频率超过20kHz以上的声波则称为超声波，用于清洗的超声波所采用的频率为，超声波由于频率高、波长短，因而传播的方向性好、穿透能力强，这也就是为什么设计制作超声波清洗机的原因。

3.4.2超声波清洗机3.4常用清洗设备——超声波清洗设备1.切割片超声波清洗机的工艺流程

①超声波抛动粗洗→②超声波抛动清洗→③超声波抛动漂洗→④超声波抛动漂洗→⑤纯水喷淋抛动漂洗→⑥超声波抛动漂洗。

2.研磨片超声波清洗机的工艺流程

①热纯水超声波抛动清洗→②热碱水超声波抛动清洗→③热纯水超声波抛动清洗→④热纯水超声波抛动清洗→⑤纯水喷淋抛动漂洗→⑥热酸超声波抛动清洗→⑦热纯水超声波抛动漂洗→⑧热纯水超声波抛动漂洗。

3.4常用清洗设备——超声波清洗设备3.外延片超声波清洗机的工艺流程①纯水超声波抛动清洗→②清洗剂超声波抛动清洗→③纯水喷淋漂洗→④清洗剂超声波抛动清洗→⑤清洗剂超声波抛动清洗→⑥纯水喷淋漂洗→⑦纯水超声波抛动漂洗→⑧纯水超声波抛动漂洗→⑨纯水超声波抛动漂洗。图3-512in单片兆声波清洗设备3.4常用清洗设备——超声波清洗设备3.4.3其他清洗设备

超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法，该方法的优点是清洗效果好，操作简单，对于复杂的器件和容器也能清除，但该方法具有噪声较大、换能器易坏的缺点。对硅片进行清洗经常会用到的设备还有刷洗器、旋转喷淋器、溢流清洗器等。

(1)刷洗器当硅片表面粘有微粒或有机残渣时常用刷洗的方法去除表面颗粒。

(2)旋转喷淋器旋转喷淋器是指利用机械设备将硅片以较高的速度旋转起来，在旋转过程中通过不断向硅片表面喷液体(高纯去离子水或其他清洗液)而达到清除硅片目的的一种设备。

(3)溢流清洗器传统上绝大多数类型的去离子水清洗都是用溢流清洗器。3.5质量控制1.硅片表面的平行光束检查

2.400倍暗场显微镜检查

3.出水电阻率检查

4.MOS结构的高频C-V测试检查

5.CVD二氧化硅膜检测法电子工程学院电子工程学院电子工程学院电子工程学院电子工程学院电子工程学院电子工程学院电子工程学院电子工程学院电子工程学院电子工程学院电子工程学院项目3清洗工艺

第3章清洗工艺3.1引言

3.2污染物杂质的分类

3.3清洗方法概况

3.4常用清洗设备——超声波清洗设备

3.5质量控制3.1引言表3-1国际半导体技术指南——清洗技术3.1引言表3-1国际半导体技术指南——清洗技术3.2污染物杂质的分类表3-2各种沾污的来源和相对的影响3.2污染物杂质的分类3.2.1颗粒颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质等。通常都是在工艺中引进的，工艺设备、环境、气体、化学试剂和去离子水均会引入颗粒。这些颗粒一旦粘附在硅表面，则会影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析，其粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切，逐渐减小颗粒与硅表面的接触面积，最终将其去除。

3.2污染物杂质的分类3.2.2有机残余物有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂、光刻胶、清洗溶剂等，残留的光刻胶是IC工艺中有机沾污的主要来源。每种污染物对IC制程都有不同程度的影响，通常会在晶圆表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶圆表面，会使硅片表面无法得到彻底的清洗。因此有机残余物的去除常常在清洗工序的第一步进行。

3.2污染物杂质的分类3.2.3金属污染物IC制造过程中采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来，首先采用光刻、刻蚀的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学气相沉积（CVD）形成金属互连膜，如Al?Si，Cu等，通过蚀刻产生互