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气相合成方法

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n化学气相沉积合成方法发展

n化学气相沉积合成方法发展

n化学气相沉积法的原理

n化学气相沉积法的原理

n化学气相沉积合成工艺

n化学气相沉积合成工艺

n物理气相沉积(PVD)技术

n物理气相沉积(PVD)技术

n应用举例

n应用举例

化学气相沉积合成方法发展

化学气相沉积合成方法发展

n化学气相沉积的古老原始形态可以追朔到古人类在取暖或

n化学气相沉积的古老原始形态可以追朔到古人类在取暖或

烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层。

烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层。

n作为现代CVD技术发展的开始阶段在20世纪50年代主要着

n作为现代技术发展的开始阶段在世纪年代主要着

CVD2050

重于刀具涂层的应用。

重于刀具涂层的应用。

n从20世纪60～70年代以来由于半导体和集成电路技术发展

n从世纪～年代以来由于半导体和集成电路技术发展

206070

和生产的需要，CVD技术得到了更迅速和更广泛的发展。

和生产的需要，CVD技术得到了更迅速和更广泛的发展。

n在集成电路及半导体器件应用的CVD技术方面，美国和日

n在集成电路及半导体器件应用的CVD技术方面，美国和日

本，特别是美国占有较大的优势。

本，特别是美国占有较大的优势。

n日本在蓝色发光器件中关键的氮化镓外延生长方面取得突

n日本在蓝色发光器件中关键的氮化镓外延生长方面取得突

出进展，以实现了批量生产。

出进展，以实现了批量生产。

n1968年K.Masashi等首次在固体表面用低汞灯在P型单晶硅

n年等首次在固体表面用低汞灯在型单晶硅

1968K.MasashiP

膜，开始了光沉积的研究。

膜，开始了光沉积的研究。

n1972年Nelson和Richardson用CO激光聚焦束沉积出碳膜，

n年和用激光聚焦束沉积出碳膜，

1972NelsonRichardsonCO2

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从此发展了激光化学气相沉积的工作。

从此发展了激光化学气相沉积的工作。

n继Nelson后，美国S.D.Allen，Hagerl等许多学者采用几十

n继Nelson后，美国S.D.Allen，Hagerl等许多学者采用几十

瓦功率的激光器沉积SiC、SiN等非金属膜和Fe、Ni、W、

瓦功率的激光器沉积、等非金属膜和、、、

SiCSiNFeNiW

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Mo等金属膜和金属氧化物膜。

Mo等金属膜和金属氧化物膜。

n前苏联DeryaginSpitsyn和Fedoseev等在20世纪70

n前苏联DeryaginSpitsyn和Fedoseev等在20世纪70

原子氢开创了激活低压CVD金刚石薄膜生长技术，80年代

原子氢开创了激活低压金刚石薄膜生长技术，年代

CVD80

在全世界形成