RAFT聚合物在有机薄膜晶体管绝缘层材料中的设计、制备及应用研究.pdfVIP

摘要

RAFT聚合物在有机薄膜晶体管绝缘层材料中的设计、制备及应用研

究

作者姓名：朱久富

指导教师：史作森副教授

专业：高分子化学与物理

在过去的二十年中，基于有机小分子与共轭聚合物的电子产品得到了广泛的研

究，例如有机发光二极管、有机薄膜晶体管（OTFTs）和有机太阳能电池。其中有

机薄膜晶体管作为研究热点，在集成电路、传感器以及显示等方面应用十分广泛。

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经过几十年的发展，有机薄膜晶体管的场效应迁移率从1.0×10cm·V·s提高至

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普遍大于1.0cm·V·s，甚至可以与单晶硅相媲美。但迄今为止，有机薄膜晶体管

依然存在许多问题，如有源层的调控困难、阈值电压较高等问题。因此，除了半导

体材料的研究外，研制与半导体适配并且性能优越的绝缘层材料也至关重要。

并五苯因其相对较高的场效应迁移率和在各种类型的基底上能够形成有序薄膜

的能力脱颖而出。众所周知，并五苯等共轭分子的电荷传输性质与它们的晶体结构、

结晶程度等密切相关，尽管还没有很好地理解这些相关性的确切形式，但是它们的

取向和晶粒尺寸的不同的确能明显影响器件性能。因此，控制和优化并五苯分子的

生长对于实现并五苯器件的应用至关重要。所以，本文设计了以甲基丙烯酸甲酯

（MMA）为主体，以甲基丙烯酸缩水甘油酯（GMA）为交联单元，以含有与并五

苯相似结构的甲酯丙烯酸酯类为功能单元，通过芳香性的递增趋势，功能性单元相

对含量递增的趋势，以及聚合方式的不同来研究其对并五苯薄膜晶体管的影响。

本文的第一章对有机薄膜晶体管进行简单的介绍，其中包括器件构造、性能参

数、研究进展以及应用领域；进一步介绍了并五苯薄膜晶体管器件中影响并五苯生

长的因素，并五苯的生长模式以及研究进展；最后介绍了可逆加成-断裂链转移聚合

技术（RAFT）的基本原理及特点。

本文的第二章，为了研究不同功能材料对并五苯薄膜晶体管中并五苯生长情况

的调控，采用RAFT聚合技术合成了甲基丙烯酸苄基酯、甲基丙烯酸-2-（1-萘基）

-乙酯、甲基丙烯酸-1-（9-蒽基）-甲酯分别与MMA和GMA聚合的无规共聚物，以

及MMA与GMA的共聚物作为对照组。结果表明，功能单元的引入明显改善了并

五苯的晶型，随着芳香性的增加，并五苯最初分子层的单层覆盖率越高，膜的连续

性越好，因此晶界越小，载流子传输更加容易。30nm厚并五苯晶型由较小的岛状

变成理想的鱼骨状，因此晶界越小，器件性能越好。其中含有蒽基结构的器件迁移

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率最高，可达到0.65cm·V·s，可靠性因子为84%。

本文的第三章，为了进一步研究功能材料对并五苯晶体的调控，基于第二章的

内容，分别从芳香性的递增趋势，功能性单元含量的递增的趋势来进行研究，并且

采用RAFT聚合技术制备了含有功能单元的嵌段共聚物，并以此为修饰层，分别在

各自的最适温度下沉积并五苯构筑成器件。结果表明，修饰层材料与并五苯结构越

相似，器件性能越好；功能单元含量适中，器件性能越好；与无规共聚相比，嵌段

聚合物可以更有效的自组装，使其与并五苯接触的修饰层薄膜的表面含有更多的功

能单元，从而改变了修饰层膜表面的性质，介电常数由无规共聚物的4.14增加到嵌

段聚合物的6.59，有效降低了阈值电压，阈值电压从以无规共聚物构筑器件的-15V

降到以嵌段聚合物构筑器件的-7V。以功能材料作为绝缘层制成器件的迁移率，由

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同组分的以无规共聚物PMG-co-NEA3制成器件的迁移率（0.16cm·V·s）增长到

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