表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法-最新国标.pdfVIP

表面化学分析-溅射深度剖析-用层状膜系为参考物质的优化方法

1范围

本文件提供了使用适当的单层和多层参考物质优化溅射深度分析参数的指导和要求，以便根据俄歇

电子能谱、X射线光电子能谱和二次离子质谱中的仪器设置实现最佳深度分辨。

本文件无意涵盖特殊多层膜系（例如δ掺杂层）的使用。

2规范性引用文件

正文中引用下列文件时，其部分或全部内容构成本文件的要求，对于注明日期的参考文献，仅引

用的版本适用，对于未注明日期的参考文献，适用参考文件的最新版本（包括任何修订）。

ISO18115-1表面化学分析—词汇—第1部分：通用术语和光谱学中使用的术语（Surfacechemical

analysis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy）

3术语和定义

就本文件而言，ISO18115-1中给出的术语和定义以及以下内容适用。

ISO和IEC在以下地址维护用于标准化的术语数据库：

-ISO在线浏览平台

-IECElectropedia

3.1图像深度剖析

特定元素或分子种类（由发射的二次离子或电子表示）的空间分布的三维表示，作为溅射剥离的深

度或材料的函数。

3.2平台区

信号保持恒定或不随溅射时间显著变化的区域。

3.3溅射深度剖析

通过溅射剥离材料时，测量表面获得的深度剖析。

4符号和缩写术语

∆z深度分辨

I信号强度

1

z溅射速率

AES俄歇电子能谱[术]

SEM扫描电子显微术

SIMS二次离子质谱[术]

XPSX射线光电子能谱[术]

5设置溅射深度剖面分析参数

5.1概要

就本文件而言，表1和表2给出了AES、XPS和SIMS溅射深度剖面分析典型的扫描和溅射参数。

这些参数在许多不同类型仪器内具有代表性。特定仪器的推荐条件可以从相应的仪器制造商处获得，并

通过使用本文件中包含的信息在实验室仪器上开展实验来进一步优化。

表1——典型深度溅射分析的扫描参数

AESXPSSIMS

探测束电子光子：一次离子束：

+-2++

MgKɑ、AlKɑCs,O,O,Ga

扫描能量1keV～25keV1.253keV～1.486keV0.1keV～25keV

344

电流或功率1nA～10nA1W～10W1nA～10nA

(法拉第杯)（源功率)(法拉第杯)

入射角0°≤90°0°≤90°0°≤90°

分析物质俄歇电子，单位为eV光电子，单位为eV二次离子，单位为AMU

（动能）（动能或结合能）（