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《纳米集成电路技术》本科课程教学大纲
一、课程基本信息
课程名称
纳米集成电路技术
TechnologyofNanometerIntegratedCircuit
课程代码
2080202
课程学分
2
课程学时
32
理论学时
32
实践学时
开课学院
机电学院
适用专业与年级
微电子、电科专业大二
课程类别与性质
专业选修课
考核方式
考查
选用教材
纳米集成电路制造工艺(第2版),张汝京等编著、清华大学出版社
是否为
马工程教材
先修课程
大学物理2100001(3)、半导体器件物理2080257(3)、集成电路工艺原理2080078(3)
课程简介
硅IC已进入深次微米(ULSI)时代,并正向纳米时代迈进。传统IC所采用的材料、器件结构和制程技术逐渐成为IC向高密度、高性能、低成本发展的制约因素。
本课程主要介绍ULSI制程中采用的超微细图形的加工技术;为配合多层金属互连降低RC延迟应用的低K介电材料、铜制程、金属阻挡层、钨栓塞;用高K介电材料制作各式新型高容量薄膜电容器技术;采用高熔点金属硅化物、自对准技术、结构改进的栅极制造技术;12英吋晶片制作;半导体纳米器件。
本课程以讲授教学法为主,结合讨论、问题教学法和自主学习查阅资料等教学方法,通过对这些ULSI中用到的新材料、新器件结构、新制程技术的了解,必将对电子类工程专业学生以后跨入先进半导体制造企业工作有很大的帮助。
选课建议与学习要求
本课程适合电子类工程专业大二及以上本科生授课,要有相关的大学物理、半导体器件物理、集成电路工艺原理相关的基础理论知识和电路分析能力。
二、课程目标与毕业要求
(一)课程目标
类型
序号
内容
知识目标
1
理解纳米集成电路的基础理论、ULSI制程流程以及新型半导体纳米材料和器件结构;分析纳米工艺下超微细图形转移的加工技术、高性能金属互连制程、新介质材料新型结构的大容量电容器制程、先进制程技术以及大尺寸晶圆制程;掌握集成电路先进技术未来发展趋势。
技能目标
2
能够基于所学基础理论结合工程领域设计特定需求的纳米器件及其制程解决方案;具备分析本专业工程项目方案在社会、安全和法律方面的合理性和可行性,以及承担解决本专业领域所及问题的能力。
素养目标
(含课程思政目标)
3
养成自主学习的习惯,具有终身学习的意识和创新能力,以发展的眼光跟踪时代的脚步,随时能够分析和解决工作中的问题。
(二)课程支撑的毕业要求
毕业要求1:工程知识:具备运用数学、自然科学、工程基础和专业知识解决工程领域复杂问题的能力。(支撑点1.2H)
②能对具体设计对象进行抽象建模和分析,提供理论支持。
毕业要求6:工程与社会:具备根据工程相关知识进行合理评估的能力,理解所用解决方案对社会、健康、安全、法律和文化的影响,并认识到个人应承担的责任。(支撑点6.3M)
③能够分析工程实践中的社会、安全和法律并具备社会责任担当。
毕业要求12:终身学习:具备自主学习和终身学习意识,能不断学习和适应发展(支撑点12.2H)
②具备自我学习和完善能力,能够通过学习解决工作中的问题。
(三)毕业要求与课程目标的关系
毕业要求
指标点
支撑度
课程目标
对指标点的贡献度
毕业要求1
②
H
理解纳米集成电路的基础理论、ULSI制程流程以及新型半导体纳米材料和器件结构;分析纳米工艺下超微细图形转移的加工技术、高性能金属互连制程、新介质材料新型结构的大容量电容器制程、先进制程技术以及大尺寸晶圆制程;理解集成电路先进技术未来发展趋势。
100%
毕业要求6
③
M
能够基于所学基础理论结合工程领域设计特定需求的纳米器件及其制程解决方案;具备分析本专业工程项目方案在社会、安全和法律方面的合理性和可行性,以及承担解决本专业领域所及问题的能力。
100%
毕业要求12
②
H
养成自主学习的习惯,具有终身学习的意识和创新能力,以发展的眼光跟踪时代的脚步,随时能够分析和解决工作中的问题。
100%
三、课程内容与教学设计
(一)各教学单元预期学习成果与教学内容
单元1绪论
知识点:知道IC特征尺寸,深次微米硅(ULSI)概念和发展趋势;理解IC制造的特点以及深亚微米技术给材料器件结构,工艺和IC设计方法,EDA工具等带来的挑战。
能力要求:能够解析深亚微米技术的特点和基本概念
教学难点:IC制造的特点以及深亚微米技术给材料器件结构,工艺和IC设计方法,EDA工具等带来的挑战。
单元2低介电常数(K)电介质材料
知识点:理解选用低K电介质在ULSI多层金属互连中降低RC延迟的作用;知道电介质电极化的基本形式;分析各类低K介质的主要性能、应用和薄膜制备。
能力要求:能够分析各类低K介质的主要性能、应用和薄膜制备。
教学难点:分析各类低K介质的主要性能、应用和薄膜制备。
单元3
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