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SVG086R0NT(S)(D)(L5)说明书

120A、80VN沟道增强型场效应管

描述

SVG086R0NT(S)(D)(L5)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管

采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品

具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

120A，80V，RDS(on)（典型值）5.0m@VGS10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVG086R0NTTO-220-3L086R0NT无铅料管

SVG086R0NSTO-263-2L086R0NS无卤料管

SVG086R0NSTRTO-263-2L086R0NS无卤编带

SVG086R0NDTRTO-252-2L086R0ND无卤编带

SVG086R0NL5TRPDFN-8-5X6X0.95-1.27086R0NL5无卤编带

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.4

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SVG086R0NT(S)(D)(L5)说明书



极限参数（除非特殊说明，T25C）

J

参数值

参数符号单位

SVG086R0NT/NSSVG086R0NDSVG086R0NL5

漏源电压VDS80V

栅源电压VGS±20V

T25°C120100

C

漏极电流IDA

T100°C7664

C

漏极脉冲电流IDM480400