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- 2024-11-28 发布于广东
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SVG083R6NAL5说明书
138A、80VN沟道增强型场效应管
描述
SVG083R6NAL5N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
138A,80V,RDS(on)(典型值)3.0m@VGS10V
低栅极电荷
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS80V
VGS(th)2.0~4.0V
RDS(on),max3.6m
ID138A
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