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SVG094R1NT(S)(KL)说明书

120A、90VN沟道增强型场效应管

描述

SVG094R1NT(S)(KL)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用

士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

120A，90V，RDS(on)（典型值）3.4m@VGS10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVG094R1NTTO-220-3L094R1NT无铅料管

SVG094R1NSTO-263-2L094R1NS无卤料管

SVG094R1NSTRTO-263-2L094R1NS无卤编带

SVG094R1NKLTO-262L-3L094R1NKL无铅料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.5

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SVG094R1NT(S)(KL)说明书



极限参数（除非特殊说明，T25C）

J

参数符号参数值单位

漏源电压VDS90V

栅源电压VGS±20V

T25°C120

C

漏极电流IDA

T100°C110

C

漏极脉冲电流IDM480A

耗散功率（T25C）219W

C

PD

-大于25C每摄氏度减少