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太阳能电池制造工艺;培训内容;制绒的作用;单晶制绒:;硅的晶体结构;硅的晶向;单晶制绒的原理;

NaOH〔氢氧化钠〕

IPA〔乙丙醇〕

Na2SiO3〔硅酸钠;化学原理：

Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑

;时间和浓度对粗抛效果影响：;原材料硅片;绒面结构的二次吸收;腐蚀量和腐蚀速率随时间变化：;多晶制绒:;化学原理

硅被HNO3氧化，反响为：

用HF去除SiO2层，反响为：

总反响为：;工艺控制;清洗;清洗;平安防护;等离子体刻蚀;本卷须知;等离子刻蚀目的;什么是等离子体？;等离子体的产生;等离子体刻蚀原理;等离子体刻蚀反响;首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。

其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2外表，并在外表上发生化学反响。

生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。;等离子体刻蚀工艺;工艺设置;边缘刻蚀控制;刻蚀工艺不当的影响;在等离子体刻蚀工艺中，关键的工艺参数是射频功率和刻蚀时间。

刻蚀缺乏：电池的并联电阻会下降。

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能变差从而使电池的性能下降。在结区〔耗尽层〕造成的损伤会使得结区复合增加。;刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可防止会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。

射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀缺乏，导致并联电阻下降。;检验方法;检验原理;检验操作及判断;等离子刻蚀注意点;在扩散过程中发生如下反响：

POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片外表，P2O5与Si反响生成SiO2和磷原子：

这样就在硅片外表形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。;氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。

假设氢氟酸过量，反响生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反响生成可溶性的络和物六氟硅酸。

总反响式为：;PECVD;工艺流程;PECVD原理;CVD各???艺条件的比较;PECVD的特点;PECVD种类;PECVD种类;PECVD种类;PECVD种类;SiNx:H简介;SiNx:H简介;SiNx在太阳电池中的应用;减反射原理〔干预〕;减反射原理〔界面反射〕;硅的n,k与光子能量关系;半导体吸收系数;相关公式;太阳光谱;膜厚和折射率的选择;钝化技术;钝化技术;平安事项;开关机顺序