机械一周解一惑系列：光刻机各环节国产化情况.pdfVIP

一周解一惑系列：

光刻机各环节国产化情况

➢本周关注：瑞晨环保，华中数控、精测电子、华工科技、卓然股份

➢光刻机整机，2022年全球光刻机市场规模232.3亿美元，三大巨头垄断市

场。根据SEMI预测，2022年光刻机占半导体设备市场份额达23%，市场规模

232.3亿美元。其中，全球光刻机三大巨头ASML/Canon/Nikon光刻机营收分

别为161/20/15亿美元，市场份额达82%/10%/8%；出货量分别为345/176/30

台，市场份额63%/32%/5%。从EUV、ArFi、ArF三个高端机型的出货来看，

ASML仍维持领先地位，出货量分辨占100%/95%/87%，中国内地占ASML销

售额14%。上海微电子光刻机技术在国内领先，目前已可量产90nm分辨率的

ArF光刻机，28nm分辨率的光刻机也有望取得突破。光刻机主要就是由激光光

源、物镜系统以及工作台这三个核心部分组成，它们之间相互配合就是为了完成

更为精确的光刻，数值越小芯片性能也就越强，当然难度也就大。

➢激光光源：浸没式193nm准分析激光器突破，EUV有新进展。就激光光源

来说，为了实现更精确的光刻，就必须要提高分辨率，减少光源波长是重要手段。

光源系统发展到今天，主流的EUV光源已确定为激光等离子体光源(LPP)，目前

只有两家公司能够生产：美国的Cymer（2012年被ASML收购）和日本的

Gigaphoton。中国科益虹源自主研发设计生产的首台高能准分子激光器，填补

中国在准分子激光技术领域的空白，其已完成了6kHZ、60w主流ArF光刻机光

源制造，激光器上的KBFF晶体由中科院旗下的福晶科技提供。

➢物镜系统：与海外差距较大，突破90nm。物镜是光刻机中最昂贵最复杂的

部件之一，二十余枚镜片的初始结构设计难度极大——不仅要控制物镜波像差，

更要全面控制物镜系统的偏振像差。卡尔蔡司是ASML透镜，反射镜，照明器，

收集器和其他关键光学元件的唯一供应商。在光学镜头方面，尽管与卡尔蔡司、

尼康等公司还有非常大的差距，但奥普光学提供的镜头已经可以做到90nm。

➢双工作台和沉浸系统：双工作台突破10nm，沉浸系统突破ArFi。高端光

刻机都采用了双工作台，负责测量和曝光晶圆，两个工作台交换位置和智能，从

而提高3倍以上的生产效率。双工作台技术难度很高，精确度要求极高（高速运

动下保持2nm精度），能够掌握该项技术的只有荷兰ASML。清华大学和华卓精

科合作研发出光刻机双工作台，精度为10nm，虽然比不上ASML的水平，但也

算填补了国内空白。浸没系统环节，我们正在努力突破ArFi沉浸式光刻机，而近

些年国内企业启尔机电在浸液控制系统上取得了重大突破。

➢光刻胶：KrF已突破，ArF待突破。我国半导体光刻胶对外依赖程度达80%

以上，据晶瑞股份公告数据显示，适用于6英寸晶圆的g/i线光刻胶自给率为

20%，适用于8英寸晶圆的KrF光刻胶自给率小于5%，适用于12英寸晶圆的

ArF光刻胶目前基本靠进口。

➢涂胶/显影设备：国产突破28nm。涂胶显影设备是光刻工序中与光刻机配

套使用的涂胶、烘烤及显影设备，涂胶显影领域国内龙头为沈阳芯源微，2022年，

公司披露在28nm及以上节点的光刻涂胶显影工艺上可实现全面国产替代，目

前在客户端已完成验收。

➢投资建议：建议关注光刻机产业链公司：茂莱光学/福晶科技/芯源微等。

➢风险提示：国际贸易摩擦加剧的风险、宏观环境风险。

本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明

目录

1光刻机核心设备3

1.1光刻机整机：国产90nm已攻克，推进28nm3

1.2激光光源：浸没式193nm准分析激光器突破，EUV有新进展9

1.3物镜系统：与海外差距较大，突破90nm11

1.4双工作台：突破10nm12

1.5沉浸系统：突破ArFi12

2部分光刻机配套设备13

2.1光刻胶：目前进展到KrF，ArF待突破13

2.2涂胶/显影