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碳纳米管场效应晶体管小信号模型构建及射频电路创新设计研究.docx

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    碳纳米管场效应晶体管小信号模型构建及射频电路创新设计研究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代电子系统中，随着信息技术的飞速发展，对电子器件的性能要求不断提高。碳纳米管场效应晶体管（CarbonNanotubeFieldEffectTransistor,CNTFET）作为一种具有独特物理性质和优异电学性能的新型器件，在未来的电子领域中展现出巨大的应用潜力，成为了研究的热点之一。

    碳纳米管具有准一维结构，其独特的原子排列赋予了它许多优异的特性。例如，载流子在碳纳米管沟道内可实现近弹道输运，这使得碳纳米管具有极高的电子迁移率，能够在低电压环境下提供较大的电流传输能力。与传统的硅基场

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