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Pt薄膜衬底H堆叠WS2_WSe2层间激子的谷极化研究.pdf

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    摘要

    过渡金属硫族化合物（Transitionmetaldichalcogenides,TMDCs）MX（M=Mo,W；

    2

    X=S，Se）作为一类半导体材料，表面悬空键的缺乏使其具有优异的电输运性能；

    单层极限下TMDCs转变为直接带隙半导体，有着很强的激子效应和谷自旋特性，因

    此二维TMDCs是下一代电子器件和光电子器件极具前景的候选对象。然而制备

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