高应变苯并二噻吩格的应变积累与电子性质理论研究.pdf

摘要

高应变有机半导体材料内部有高应变能以及特殊的光电性质，因此受到理论和实验研究

人员的关注。近些年来，高应变有机半导体材料被大量报道，比如碳纳米环与碳纳米带。但

这种高应变材料的合成十分困难，相对于外部应变带来的各种性质和应用，关于分子内部应

变的报道较为局限，高应变分子的延伸与拓展可能会带来新的机遇。因此研究环应变能是如

何积累以及积累的影响因素就变得十分有必要。有机纳米格芳烃ONGA是一种可延伸与拓

展的分子设计，本文选择用苯并二噻吩构建了三种高应变的纳米格芳烃，并利用它可延伸的

特性，将这些分子延伸与拓展，使用密度泛函理论计算了它们的基态分子结构、环张力能、

分子内非共价相互作用、电荷转移、内重组能等性质，研究增长效应对电子性质的影响以及

应变能积累的规律。以下为研究内容结论：

（1）在SBDTG-B与SBDTG侧立应变格有以下几点结论：在电子性质方面，SBDTG在相

同构型下，空穴重组能明显下降，在分子构型ctc-tSBDTG最低降至0.066eV。由于受到非

键合作用的影响，环应变能随着个数的增加而增加，但并不成倍增加。另外，在SBDTG中，

环应变能增大对分子的LUMO轨道影响更大，随环应变能的增加，LUMO能级逐渐降低。

（2）通过BBDTG、BBDTG-B以及它们二聚体和三聚体和双连接位的PBBDTG以及

PBBDTG-B两组分子，探究应变能沿着弯曲共轭链，应变能的积累规律以及当双连接位时，

对分子的应变能积累的影响。从单格到并格再到三格，空穴重组能和电子重组能逐步降低，

绝热电离势逐步降低、绝热电子亲和能逐步升高，证明增长效应能有效的提升分子的传输性

能。环应变能在双连接位分子中，由于扭转应变和非键合作用的增加，环应变能远高于两个

分子线性相加的结果。

（3）当环应变能垂直于共轭链方向积累时，环应变能的积累规律以及延伸的距离对应变能

的积累的影响通过LBDTG和加入乙炔的ALBDTG两组堆积格分子进行探究。增长效应仍

然能够有效降低重组能。在加入乙炔后，分子间距离增加，扭转应变降低，导致分子的环应

变能累积规律发生变化，二聚体的环应变能低于单体分子的环应变能线性相加。

这些结果表明，增长效应是有效降低分子内重组能的方法，另外环应变能可以通过增长

效应积累，但应该考虑分子间的距离和连接位的影响，为实验上设计、合成高应变，低重组

能的跨尺度纳米格芳烃提供了理论上的指导。

关键词:苯并二噻吩，高应变格芳烃，密度泛函理论，环应变能

Abstract

Highlystrainedorganicsemiconductormaterialsareofinteresttotheoreticalandexperimental

researchersbecauseoftheirhighinternalstrainenergyandtheirspecialoptoelectronicproperties.

Inrecentyears,alargenumberofhighstrainorganicsemiconductormaterialshavebeenreported,

suchascarbonnanocirclesandcarbonnanoribbons.However,thesynthesisofsuchhighstrain

materialsisdifficultandreportsoninternalmolecularstrainaremorelimitedcomparedtothe

varietyofpropertiesandapplicationsbroughtaboutbyexternalstrain,andtheextensionand

expansionofhighstrainmoleculesmayopenupnewopportuni