半导体物理第次课.pptVIP

价带电子与空穴的关系价带电子电荷-e速度受力方向-E有效质量0加速度方向真实粒子价带空状态+e与价带电子相同与价带电子相反0与价带电子相同空态第30页，共82页，星期日，2025年，2月5日提示：空穴能带与电子能带不同第31页，共82页，星期日，2025年，2月5日价带电子与空穴的关系导带电子电荷-e速度受力方向-E有效质量0加速度方向真实粒子空穴+e与导带电子相反与导带电子相反0与导带电子相反假设粒子第32页，共82页，星期日，2025年，2月5日霍尔效应的定量分析1、霍耳系数当霍耳电场引起的力与磁场引起的力最后达到平衡时，我们有由此我们得到一个十分重要的公式。即霍耳电势与流过样品的电流大小及磁场强度成正比，比例系数称为霍耳系数，对电子R=-1/ne，对空穴为R=1/pe。第33页，共82页，星期日，2025年，2月5日2、霍尔角在无磁场时，载流子的漂移运动方向与电流方向相同或相反，但两者没有夹角(0或180）。磁场引起附加电场，使得载流子的运动方向与外场的方向有一个夹角，此夹角称为霍耳角。霍耳角的正切应等于霍耳电场与外场的比值，即，若霍尔电场较小，

则，可见偏转角的方向与霍耳系数相同。将R代入可得第34页，共82页，星期日，2025年，2月5日3、霍耳迁移率由于磁场的存在，电子的漂移运动方向发生变化，因此以上公式中所用的迁移率严格来说应是磁场下的迁移率，即霍耳迁移率。引入霍尔迁移率后，霍耳系数要进行修改，

相应的霍耳角、霍耳电势等也要进行修改。第35页，共82页，星期日，2025年，2月5日霍尔迁移率对简单能带结构的半导体材料，Rn与Rp不必修正。由半导体的能带结构可以算出霍耳迁移率与一般迁移率的比值，它们为第36页，共82页，星期日，2025年，2月5日霍尔效应及其应用P型半导体和N型半导体的霍耳电场的方向及霍耳电势差的符号是相反。根据霍耳电势差的符号可确定半导体的导电类型、载流子浓度。根据霍尔电势差的大小可以用来测量磁场。根据磁场存在时产生横向电势差的特点可以用来制作传感器。通过霍尔迁移率的测量，可以确定载流子散射的主要机制。霍耳系数是半导体材料的一个很重要参数。第37页，共82页，星期日，2025年，2月5日两种载流子同时存在时的霍尔系数在磁场作用下电子与空穴的横向运动方向是相同的，它们引起的横向电流的大小积累在两侧的电荷产生的霍耳电场引起的电流，由它引起的横向电流为当达到平衡时两者数值相同，即第38页，共82页，星期日，2025年，2月5日两种载流子同时存在时的霍尔系数-cont而有两种载流子同时存在时的电导率为代入前面的式子，可以得到霍耳电场与磁场及电流的关系第39页，共82页，星期日，2025年，2月5日两种载流子同时存在是的霍耳系数其中。第40页，共82页，星期日，2025年，2月5日利用霍尔效应测量导电型号的局限性一般情况下b1，对于以空穴为主的半导体，当温度较低时pn，R0，当温度较高时，r若在某一温度p=nb，则R=0，若温度再增高，则R0。因此对P型半导体而言，随温度变化霍耳系数会变号，所以测量P型半导体时应该注意。对N型半导体，由于分子始终是负的，所以不会改变符号。对于的材料，不能利用霍尔效应判断导电型号。第41页，共82页，星期日，2025年，2月5日磁阻效应当半导体材料置于外场中时，半导体的电阻值比无磁场时的大，这种现象称为磁阻现象，即磁场引起的电阻变化现象。磁阻现象的本质是载流子在磁场的作用下偏转使得沿外电场方向运动的载流子密度变小，这相当于电阻增加。

1）载流子轨迹呈波动状；

2）载流子速度不同使得大于及小于平均速度

的载流子受力方向相反，使得沿外场方向运动的载流子数目减小。第42页，共82页，星期日，2025年，2月5日1、轨迹变长，相当于迁移率下降1、在磁场力的作用下，载流子作圆周运动。2、在电场力的作用下，载流子作定向运动。总体：螺旋运动。第43页，共82页，星期日，2025年，2月5日运动速度不同的影响1、由于载流子运动速度偏离平均速度，在霍尔电场和磁场的共同的作用下，载流子可能向不同的方向偏离。导致沿外场方向运动的载流子数目和速度分量下降。2、因为J