第八章 基本光刻工艺.pptVIP

光刻胶覆盖第30页，共42页，星期日，2025年，2月5日第1页，共42页，星期日，2025年，2月5日因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确对准。如果每一次的定位不准，将会导致整个电路失效。除了对特征图形尺寸和图形对准的控制，在工艺过程中的缺陷水平的控制也同样是非常重要的。光刻操作步骤的数目之多和光刻工艺层的数量之大，所以光刻工艺是一个主要的缺陷来源。第2页，共42页，星期日，2025年，2月5日8.2光刻蚀工艺概况光刻蚀是一种多步骤的图形转移过程，首先是在掩膜版上形成所需要的图形，之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶园表面的每一层。图形转移通过两步完成。首先，图形被转移到光刻胶层。光刻胶经过曝光后自身性质和结构发生变化（由原来的可溶性物质变为非可溶性物质，或者相反）。再通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，在光刻层下就会留下一个孔，而这个孔就是和掩膜版不透光的部分相对应。第3页，共42页，星期日，2025年，2月5日第4页，共42页，星期日，2025年，2月5日其次，把图形从光刻胶层转移到晶园上。这一步是通过不同的刻蚀方法把晶园上没有被光刻胶保护的部分的薄膜层去掉。这时图形转移就彻底完成了。如图所示。第5页，共42页，星期日，2025年，2月5日如果掩膜版的图形是由不透光的区域决定的，称其为亮场掩膜版；而在一个暗场掩膜版中，掩膜版上的图形是用相反的方式编码的，如果按照同样的步骤，就会在晶园表面留下凸起的图形。暗场掩膜版主要用来制作反刻金属互联线。第6页，共42页，星期日，2025年，2月5日刚才介绍了对光有负效应的光刻胶，称为负性胶。同样还有对光有正效应的光刻胶，称为正胶。用正性胶和亮场掩膜版在晶园表面建立凸起图形的情况如图8.7所示。右图显示了用不同极性的掩膜版和不同极性的光刻胶相结合而产生的结果。通常是根据尺寸控制的要求和缺陷保护的要求来选择光刻胶和掩膜版极性的。第7页，共42页，星期日，2025年，2月5日第8页，共42页，星期日，2025年，2月5日8.3光刻10步法把图形从掩膜版上转移到晶园表面是由多个步骤完成的（见图8.9），特征图形尺寸、对准精度、晶园表面情况和光刻层数都会影响到特定光刻工艺的难以程度。虽然许多光刻工艺都不尽相同，但大部分都是基于光刻10步法的变异或选项。所以了解和掌握基本的光刻10步法是非常必要的。8.4光刻胶光刻胶是光刻工艺的核心，光刻过程中的所有操作都会根据特定的光刻胶性质和想达到的预期结果而进行微调。光刻胶的选择和光刻工艺的研发是一个非常漫长的过程。第9页，共42页，星期日，2025年，2月5日8.4.1光刻胶的组成光刻胶由4种成分组成：聚合物溶剂感光剂添加剂第10页，共42页，星期日，2025年，2月5日聚合物聚合物是由一组大而且重的分子组成，包括碳、氢和痒。对负性胶，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态。在大多数负性胶里面，聚合物是聚异戊二烯类型。是一种相互粘结的物质－－抗刻蚀的物质，如图所示。第11页，共42页，星期日，2025年，2月5日正性胶的基本聚合物是苯酚－甲醛聚合物，也称为苯酚－甲醛树脂。如图所示。在光刻胶中聚合物是相对不可溶的，用适当能量的光照后变成可溶状态。这种反应称为光溶解反应。第12页，共42页，星期日，2025年，2月5日下表列出了用在光刻胶产品上的聚合物，正胶和负胶相对的有点。第13页，共42页，星期日，2025年，2月5日溶剂光刻胶中容量最大的成分是溶剂。添加溶剂的目的是光刻胶处于液态，以便是光刻胶能够通过旋转的方法涂在晶园表面。感光剂光刻胶中的感光剂是用来产生或者控制聚合物的特定反应。如果聚合物中不添加感光剂，那么它对光的敏感性差，而且光谱范围较宽，添加特定的感光剂后，可以增加感光灵敏度，而且限制反应光的光谱范围，或者把反应光限制在某一波长的光。第14页，共42页，星期日，2025年，2月5日添加剂光刻胶中的添加剂主要在光刻胶薄膜中用来吸收和控制光线，可以阻止光刻胶