贵金属键合丝热影响区长度测定 扫描电镜法标准化发展报告.docx

贵金属键合丝热影响区长度测定扫描电镜法标准化发展报告

EnglishTitle:StandardizedDevelopmentReportonScanningElectronMicroscopyMethodforDeterminingHeatAffectedZoneLengthofPreciousMetalBondingWires

摘要

随着集成电路及分立器件向多引线化、高集成度和小型化方向快速发展，贵金属键合丝作为芯片与引线框架间关键封装材料，其性能要求日益严格。热影响区（HAZ）长度是决定键合成弧高度和键合强度的核心指标，直接影响封装器件的可靠性和微型化程度。传统金相法在测量直径30μm以下的超细键合丝时，因制样难度大、分辨率不足而难以满足行业需求。本报告系统分析了《贵金属键合丝热影响区长度测定扫描电镜法》标准的立项背景、技术内容及实施意义。该标准通过引入聚焦离子束（FIB）制样技术与扫描电镜成像技术，建立了适用于直径50μm以下贵金属键合丝的HAZ长度测量方法，填补了超细键合丝检测领域的空白。报告指出，该标准将推动键合丝生产工艺优化，提升产品质量一致性，并为半导体封装行业的技术进步提供重要支撑。

关键词

贵金属键合丝；热影响区；扫描电镜；聚焦离子束；微米级测量；半导体封装；标准化

Keywords

PreciousMetalBondingWire;HeatAffectedZone;ScanningElectronMicroscopy;FocusedIonBeam;Micron-levelMeasurement;SemiconductorPackaging;Standardization

正文

1.立项目的与意义

贵金属键合丝（包括金丝、银合金丝、镀金银丝及镀金银合金丝）凭借其优异的导电性、导热性及化学稳定性，已成为高端IC产品、军用器件模块和大功率LED照明产品的核心封装材料。在键合工艺中，丝材尾端经电弧烧球形成球状结构，此过程中热传导导致近球端晶粒粗化，形成机械强度较低的热影响区（HAZ）。HAZ长度直接决定了键合成弧高度与键合强度，是评价键合丝性能的关键参数。

随着集成电路封装向多引线、高密度方向发展，贵金属键合丝呈现出超细线径（直径≤30μm）、低弧高、高强度的技术趋势，对HAZ长度的控制要求更为严苛。较短的HAZ有助于实现低弧度键合，减少空间占用并提高连接可靠性。工业生产中需通过成分设计与工艺调整缩短HAZ，因此其精确测量成为产品研发与质量控制的必要环节。

传统金相法依赖晶粒度变化判定HAZ长度，但面对超细键合丝时存在显著局限性：其一，截面制样成功率低，易导致丝材变形或损伤；其二，光学分辨率不足，难以清晰分辨微米级晶粒组织。目前国内外现有标准均未涵盖超细键合丝的HAZ测量方法，行业亟需建立新技术规范。扫描电镜（SEM）结合聚焦离子束（FIB）制样技术，可通过高分辨率成像与精准截面制备解决该问题，填补技术空白。

从市场需求看，2019年中国半导体封装键合丝总需求量达174亿米，同比增长6.7%，其中贵金属键合丝占比44%。申报单位贵研铂业股份有限公司年产能达25万卷，产值约3亿元，且90%以上产品为直径30μm以下的超细键合丝。本标准通过规范HAZ测量方法，将助力企业提升产品质量，推动行业技术升级，具有显著的经济与社会效益。

2.范围与主要技术内容

本标准适用于直径50μm以下的含金、银贵金属键合丝HAZ长度的测定，突破了传统金相法的直径限制（30μm以下无法有效测量）。技术核心包括纵截面制样技术、HAZ判定方法及长度测量流程。

2.1制样技术

采用聚焦离子束（FIB）法制备键合丝纵截面。该方法无需镶嵌、磨抛等传统步骤，通过双束或多束扫描电镜的FIB模块对试样进行切割与抛光，实现高效、高成功率制样。技术规范明确了离子束诱导沉积、粗切、精切及成像的参数设置，包括电压、电流等关键参数，确保截面平整且晶粒结构清晰。

2.2HAZ判定与测量方法

HAZ长度通过以下两种方法综合判定：

-图片定性法：基于扫描电镜获得的纵截面组织图像，根据球颈端沿长度方向的晶粒形状与尺寸变化，将组织划分为完全热影响区、部分热影响区和未受影响区。HAZ长度为完全区与部分区长度之和，使用扫描电镜内置测量工具直接计算并取平均值。该方法可参考GB/T16594-2008《微米级长度的扫描电镜测量方法通则》进行数据处理。

-截线定量法：以球颈端为起点，沿直径方向作长度不小于直径的直线，记录其与晶界的截点数；沿长度方向以固定步长作平行线，统计各线截点数。绘制截点数随长度变化曲线，其斜率归零处对应的横坐标即为HAZ长度。该方法通过数学建模提高测量精度，适用于超细丝材的