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半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）发展报告

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摘要

本报告旨在阐述《半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）》立项的目的意义、适用范围及主要技术内容。随着集成电路产业的快速发展，晶片近边缘区域的几何形态对芯片质量和成品率的影响日益显著。本部分标准通过引入扇形区域平整度评价方法，为晶片近边缘区域的几何参数提供了量化评价手段，填补了国内在该领域的技术空白，有助于提升我国半导体产业的整体竞争力。

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要点列表

-目的意义：支持集成电路产业发展，解决晶片近边缘区域几何形态控制难题，与国际标准接轨，提升晶片质量和芯片成品率。

-适用范围：适用于200-300mm直径的硅抛光片、外延片、SOI片，并可扩展至其他尺寸或材料的半导体晶片。

-技术内容：基于扇形区域划分，通过扫描测试和基准面计算，量化评价晶片近边缘区域的平整度参数（ESFQR、ESFQD、ESBIR）。

-系列规划：本部分为系列标准的第3部分，后续将补充第4部分以完善近边缘几何形态评价体系。

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目的意义

集成电路产业作为国家的基础性、先导性和战略性产业，近十年来在国家政策支持下实现了迅猛发展。我国在半导体材料、集成电路设计与制造等领域取得显著突破，已成为全球重要的集成电路生产基地和消费市场。随着晶片需求的持续增长，尤其是硅片直径增大和线宽缩小，对晶片几何参数的要求日益严格。其中，近边缘区域（通常指晶片边缘30mm环形区域）的几何形态成为影响整体质量的关键因素。

这一问题的根源在于晶片加工工艺（如研磨、腐蚀、抛光）的边缘效应，导致近边缘区域的厚度和平整度控制难度较大，几何形态质量易出现波动。2006年至2010年，国际社会已针对大直径硅片近边缘区域出台了一系列标准，通过不同测试区域和计算方法量化评价几何形态参数。我国制定本部分标准，不仅有助于与国际技术规范接轨，还能通过科学的评价方法有效管控晶片近边缘区域的几何形态，进而提升晶片整体质量与集成电路芯片的成品率，对推动产业技术升级和可持续发展具有重要意义。

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范围和主要技术内容

本文件规定了采用近边缘扇形区域平整度法（包括ESFQR、ESFQD、ESBIR）评价晶片近边缘几何形态的具体方法。其适用范围涵盖200-300mm直径的硅抛光片、外延片和SOI片，同时该方法也可扩展至其他尺寸或半导体材料晶片。

技术内容的核心在于通过选定半径和圆心角，将晶片近边缘区域划分为若干扇形区域。首先，通过扫描测试获取晶片的厚度空间阵列数据；随后，在每个扇形区域内确定基准面，并计算该区域相对于基准面的平整度值。基于此，进一步推导出扇形区域平整度的最大值、最小值、平均值和标准偏差。通过类似流程，可量化获取ESFQR（边缘扇形区域平整度范围）、ESFQD（边缘扇形区域平整度偏差）和ESBIR（边缘扇形区域平整度不规则性）等关键参数，从而实现对半导体晶片近边缘几何形态的客观、定量评价。

本部分标准作为“晶片近边缘几何形态评价方法”系列的第3部分，聚焦于近边缘扇形区域平整度评价。未来计划将边缘不完整区域的扇形区域平整度评价方法作为第4部分进行申报，以形成与国际标准全面接轨的完整评价体系，满足芯片制备工艺中的多样化需求。

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结论

《半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）》的制定，是我国集成电路产业标准化进程中的重要举措。通过引入先进的扇形区域平整度评价方法，本部分标准不仅解决了晶片近边缘区域几何形态控制的技术难题，还促进了国内与国际技术规范的协同发展。未来，随着系列标准的进一步完善，将为半导体材料与芯片制造提供更全面的技术支撑，助力我国集成电路产业实现高质量、可持续发展。