第3章场效应管.pptVIP

计及衬底效应的MOS管简化电路模型考虑到衬底电压vus对漏极电流id的控制作用，小信号等效电路中需增加一个压控电流源gmuvus。gmvgsrdsgdsidvgs-vds++-gmuvusgmu称背栅跨导，工程上?为常数，一般?=0.1~0.2。*第29页，共50页，星期日，2025年，2月5日MOS管高频小信号电路模型当高频应用、需计及管子极间电容影响时，应采用如下高频等效电路模型。gmvgsrdsgdsidvgs-vds++-CdsCgdCgs栅源极间平板电容漏源极间电容(漏衬与源衬之间的势垒电容)栅漏极间平板电容*第30页，共50页，星期日，2025年，2月5日场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。3.1.5MOS管电路分析方法场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有明显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，一定要注意自身特点。估算法*第31页，共50页，星期日，2025年，2月5日MOS管截止模式判断方法假定MOS管工作在放大模式：放大模式非饱和模式(需重新计算Q点)N沟道管：VGSVGS(th)P沟道管：VGSVGS(th)截止条件非饱和与饱和(放大)模式判断方法a)由直流通路写出管外电路VGS与ID之间关系式。c)联立解上述方程，选出合理的一组解。d)判断电路工作模式：若|VDS||VGS–VGS(th)|若|VDS||VGS–VGS(th)|b)利用饱和区数学模型：*第32页，共50页，星期日，2025年，2月5日例1已知?nCOXW/(2l)=0.25mA/V2，VGS(th)=2V，求ID。解：假设T工作在放大模式VDD(+20V)1.2M?4k?TSRG1RG2RDRS0.8M?10k?GID代入已知条件解上述方程组得：ID=1mAVGS=4V及ID=2.25mAVGS=-1V(舍去)VDS=VDD-ID(RD+RS)=6V因此验证得知：VDSVGS–VGS(th)，VGSVGS(th)，假设成立。*第33页，共50页，星期日，2025年，2月5日小信号等效电路法场效应管小信号等效电路分法与三极管相似。利用微变等效电路分析交流指标。画交流通路；将FET用小信号电路模型代替；计算微变参数gm、rds；注：具体分析将在第4章中详细介绍。*第34页，共50页，星期日，2025年，2月5日3.2结型场效应管JFET结构示意图及电路符号SGDSGDP+P+NGSDN沟道JFETP沟道JFETN+N+PGSD*第35页，共50页，星期日，2025年，2月5日*第1页，共50页，星期日，2025年，2月5日概述场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。场效应管与三极管主要区别：场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)。场效应管分类：MOS场效应管结型场效应管*第2页，共50页，星期日，2025年，2月5日3.1MOS场效应管P沟道(PMOS)N沟道(NMOS)P沟道(PMOS)N沟道(NMOS)MOSFET增强型(EMOS)耗尽型(DMOS)N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。*第3页，共50页，星期日，2025年，2月5日N+N+P+P+PUSGD3.1.1增强型MOS场效应管N沟道EMOSFET结构示意图源极漏极衬底极SiO2绝缘层金属栅极P型硅衬底SGUD电路符号l沟道长度W沟道宽度*第4页，共50页，星期日，2025年，2月5日N沟道EMOS管外部工作条件VDS0(保证漏衬PN结反偏)。U接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏)。VGS0(