集成电子技术基础教程：第1篇第三章场效应晶体管及其电路分析.pptVIP

§3、场效应晶体管及其电路分析§3.1场效应管的结构、特点与参数场效应晶体管是电压控制电流型器件。其工作电流主要由多数载流子的漂移运动形成，故又称为单极型晶体管。根据结构和制造工艺的不同，场效应管分为两大类：结型场效应管（J－FET）绝缘栅场效应管（MOS－FET）/IGFET

场效应管的分类：

一、绝缘栅场效应管（MOS－FET）1.绝缘栅场效应管的结构、类型及电路符号在一块低掺杂P型硅基片（衬底)上扩散两个高浓度的N＋区（引出源极和漏极）。在P型硅表面用热氧化的方法生成薄的SIO2绝缘层，两个N＋区间的绝缘层上生长一层铝，引出栅极。

绝缘栅场效应管电路符号：

2.工作原理（增强型NMOS管为例）

（1）VGS=0,VDS较小时的情况由于GS间的电压小，该电压下的电场不足以在栅漏间形成导电沟道，在加有电压VDS下也不会导电。因为此时的栅源电压VGS小于开启电压VT，在二个高浓度的N+区间没有导电沟道。

（2）VGSVT,而VDS仍为较小的电压在栅极与衬底之间产生一个垂直电场（方向为由栅极指向衬底），它使漏-源之间的P型硅表面感应出电子层（即N型层，也称为反型层）。当大于开启电压该电子层使两个N+区连通，形成N型导电沟道，d-s间呈现低阻，所以在的作用下将可能产生漏极电流导电沟道越厚，d-s间等效电阻越小

（3）VGSVT且足够大时,同时加上VDS电压该情况下，在一定的VDS范围，随着VGS电压的增加，ID电流也跟着增大。体现出线性的变化，如图所示。

在VGSVT时，VDS对增强型N-MOSFET的影响0VDSVGS-VTVDS=VGS-VTVDSVGS-VT

开启电压是时的漏极电流3.伏安特性和电流方程(以增强型NMOS－FET为例)

（1）转移特性

输出特性分为三个工作区：可变电阻区、放大区和夹断区（2）输出特性

增强型NMOS管转移特性和输出特性

需要满足的条件是：此时，沟道未预夹断，沟道较宽，用一个体电阻等效。（a）可变电阻区

（b）放大区（恒流区、饱和区）工作条件：满足漏端预夹断点的连线是放大区和可变电阻区的分界线主要受控制，与几乎无关表现为较好的恒流特性

（c）夹断区（截止区）导电沟道消失，整个沟道被夹断FET工作在截止状态

靠这些正离子的作用，能使P型衬底表面感应出N型反型层，将两个N＋区连通形成N型导电沟道。4.耗尽型MOSFET在制造过程，在栅极下方的SIO2绝缘层掺入大量的K＋（Na＋）正离子。即使

耗尽型NMOS管的伏安特性曲线UP称为夹断电压工作在放大区条件：转移特性用电流方程：IDSS称为饱和漏极电流

二、结型场效应管

三、FET的主要参数（一）直流参数（1）开启电压UT（2）夹断电压UP（3）饱和漏极电流IDSS（4）直流输入电阻RGS（DC）很大(107－109)（二）交流参数（1）跨导（互导）gm

跨导gm的物理含义

(2)交流输出电阻rds(三)极限参数（1）最大漏－源电压V（BR）DS（2）最大栅－源电压V（BR）GS（3）最大耗散功率PDM

§3.2场效应管放大电路场效应管和晶体管一样，也具有电压放大作用，它的三个电极s、d、g与三极管e、c、b相对应。三种基本组态，共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG)，分别与三极管的共射(CE)、共集(CC)和共基(CB)相对应。场效应管是一种电压控制器件，只需提供栅偏压，而不需提供栅极电流，所以它的偏置电路有其自身的特点。它对偏置电路的要求因管子类型不同而有所不同。

种类电压增强型耗尽型NMOSPMOSN结型P结型NMOSPMOS栅源电压正负负正负（正）正（负）漏源电压正负正负正负各类FET对偏置电压的要求:

以下重点介绍两种偏置电路：自偏压电路和分压式自偏压电路以及组成的CS电路结构与分析方法一、FET的直流偏置和静态工作点的计算

1.FET偏置电路

（1）自给栅偏压电路（自偏压电路）

直流偏置采用电流反馈式偏置电路。Rg为栅极泄放电阻取0.1－10M只适合于耗尽型FET【例1.1.8】

（2）分压式自偏压电路

2.静态工作点的计算通常可采用图解法和估算法（1）图解法求静态工作点例1.3.2

可以在转移特性曲线上画出这条偏压直线，交点Q为静态工作点。由输出回路列出直流负载线：可以在FET输出特性上得出“Q”点，求得IDQ、UDSQ

以下估算