模拟电子技术基础知识点总结.docxVIP

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术，作为电子信息领域的基石，其重要性不言而喻。它主要研究对连续变化的模拟信号进行放大、变换、滤波、比较等处理的电路原理与设计方法。对于初学者而言，这门学科既有其抽象性，也充满了逻辑之美。本文旨在梳理模拟电子技术的核心知识点，希望能为大家构建一个清晰的知识框架，助力理解与应用。

一、半导体器件基础

半导体器件是构成各种模拟电路的基本单元，理解其工作原理是学好模拟电子技术的第一步。

1.1PN结与二极管

纯净的半导体（如硅、锗）通过掺杂可形成P型和N型半导体。P型半导体中空穴为多数载流子，N型半导体中电子为多数载流子。当P型与N型半导体结合时，在交界面处会形成一个特殊的区域——PN结。PN结具有单向导电性，这是二极管和后续三极管等器件工作的物理基础。

二极管正是由一个PN结加上引线和管壳构成。其伏安特性曲线直观地展示了这一特性：正向偏置时（P区接正，N区接负），在克服死区电压后，电流随电压指数增长；反向偏置时，仅有极小的反向饱和电流，当反向电压超过击穿电压时，电流急剧增大（击穿现象，稳压二极管正是利用了反向击穿区的特性）。

在实际应用中，二极管常用于整流（将交流电转为脉动直流电）、检波（从高频调制信号中提取低频信号）、限幅（限制信号幅度）、钳位（将信号某点电位固定在特定值）以及作为低压稳压管使用。理解不同类型二极管（如整流二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管）的特性和参数，是合理选用的前提。

1.2双极型三极管（BJT）

三极管，全称双极型结型晶体管，是一种电流控制型器件。它有NPN和PNP两种基本结构，内部包含三个区（发射区、基区、集电区）和两个PN结（发射结、集电结）。

三极管的核心功能是电流放大。以NPN管为例，当发射结正向偏置、集电结反向偏置时，三极管工作在放大区。此时，基极电流Ib的微小变化，会引起集电极电流Ic较大的变化，Ic=β*Ib（β为共发射极电流放大系数）。这好比一个小的阀门控制着大的水流。

除了放大区，三极管还有饱和区和截止区，这两个区域主要用于开关电路。判断三极管的工作状态，关键在于分析两个PN结的偏置情况以及电流关系。掌握三极管的输入特性曲线（Ib与Ube的关系）和输出特性曲线（Ic与Uce的关系，不同Ib下的一簇曲线），对于理解其工作原理至关重要。

1.3场效应管（FET）

场效应管是另一种重要的半导体器件，它是电压控制型器件，通过栅源电压Ugs来控制漏极电流Id。与三极管相比，场效应管具有输入电阻高、噪声小、热稳定性好等优点。

根据结构不同，场效应管可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）。MOSFET因其制造工艺简单、集成度高，在集成电路中应用极为广泛。它又分为N沟道和P沟道，以及增强型和耗尽型。理解其导电沟道的形成与变化是掌握场效应管工作原理的关键。

二、基本放大电路

放大电路是模拟电子技术的核心内容，其功能是将微弱的电信号不失真地放大到所需的幅度。

2.1共发射极放大电路

共发射极放大电路（简称共射电路）是三极管放大电路中最基本、应用最广泛的一种组态。输入信号加在基极和发射极之间，输出信号从集电极和发射极之间取出，发射极是输入回路和输出回路的公共端。

共射电路的主要特点是：电压放大倍数高、电流放大倍数也高、输入电阻中等、输出电阻较高，同时输出信号与输入信号相位相反。对共射电路的分析，通常采用静态分析（估算静态工作点Q，包括IbQ、IcQ、UceQ）和动态分析（估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro）。常用的动态分析方法有微变等效电路法。

静态工作点的设置至关重要，它直接影响放大电路是否会产生非线性失真（饱和失真和截止失真）。为了稳定静态工作点，实际电路中常采用分压式偏置共射放大电路。

2.2共集电极与共基极放大电路

共集电极放大电路（射极输出器）的输出信号从发射极取出，集电极作为公共端。其特点是：电压放大倍数约等于1（小于1但接近1），即输出电压与输入电压大小近似相等、相位相同，故又称电压跟随器；电流放大倍数较大；输入电阻高；输出电阻低。射极输出器常用作输入级、输出级或缓冲级。

共基极放大电路以基极为公共端，输入信号加在发射极和基极之间，输出信号从集电极和基极之间取出。其特点是：电压放大倍数与共射电路相当；电流放大倍数小于1（接近1）；输入电阻低；输出电阻高；高频特性好。共基电路常用于高频放大或宽频带放大场合。

理解这三种基本组态放大电路的结构、工作原理和性能特点，并能进行比较，是模拟电路分析的基础。

2.3场效应管放大电路

与三极管放大电路类似，场效应管放大电路也有共源、共漏、共栅三种基本组态。共源放大电路类似于共射电路，具有一定的电压放大能力，输入电阻极高。共漏放大电路（源极输出器）类似于射极输