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第29页，共59页，星期日，2025年，2月5日PN结——伏安特性方程式PN结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述：热电压?26mV(室温)其中：IS为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。正偏时：反偏时：第30页，共59页，星期日，2025年，2月5日PN结——伏安特性曲线IDVVD(on)-ISSiGeVD(on)=0.7VIS=(10-9~10-16)A硅PN结VD(on)=0.25V锗PN结IS=(10-6~10-8)AVVD(on)时随着V?正向R很小I??PN结导通；VVD(on)时IR很小(IR?-IS)反向R很大PN结截止。温度每升高10℃，IS约增加一倍。温度每升高1℃，VD(on)约减小2.5mV。O第31页，共59页，星期日，2025年，2月5日1.2.3PN结的击穿特性|V反|?=V(BR)时，?IR急剧???，?PN结反向击穿。雪崩击穿齐纳击穿PN结掺杂浓度较低(l0较宽)发生条件外加反向电压较大(6V)形成原因：碰撞电离。V(BR)IDV形成原因：场致激发。发生条件PN结掺杂浓度较高(l0较窄)外加反向电压较小(6V)O第32页，共59页，星期日，2025年，2月5日因为T??载流子运动的平均自由路程??V(BR)?。击穿电压的温度特性雪崩击穿电压具有正温度系数。齐纳击穿电压具有负温度系数。因为T??价电子获得的能量??V(BR)?。稳压二极管利用PN结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。要求：IZminIZIZmaxVZIDVIZminIZmax+-VZO第33页，共59页，星期日，2025年，2月5日稳压仿真第34页，共59页，星期日，2025年，2月5日第35页，共59页，星期日，2025年，2月5日1.2.4PN结的电容特性势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。势垒电容CT扩散电容CD阻挡层外(P区和N区)贮存的非平衡电荷量,随外加电压变化产生的电容效应。CT(0)CTVOxn少子浓度xO-xpP+N第36页，共59页，星期日，2025年，2月5日PN结电容PN结反偏时，CTCD，则Cj?CTPN结总电容：Cj=CT+CDPN结正偏时，CDCT，则Cj≈CD故：PN结正偏时，以CD为主。故：PN结反偏时，以CT为主。通常：CD?几十pF~几千pF。通常：CT?几pF~几十pF。第37页，共59页，星期日，2025年，2月5日1.3晶体二极管电路分析方法晶体二极管的内部结构就是一个PN结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型：便于计算机辅助分析的数学模型适于任一工作状态的通用曲线模型直流简化电路模型交流小信号电路模型电路分析时采用的第38页，共59页，星期日，2025年，2月5日1.3.1晶体二极管的模型数学模型——伏安特性方程式理想模型：修正模型：其中：n—非理想化因子I正常时：n?1I过小或过大时：n?2rS—体电阻+引线接触电阻+引线电阻注意：考虑到阻挡层内产生的自由电子空穴对及表面漏电流的影响，实际IS??理想IS。晶体二极管第39页，共59页，星期日，2025年，2月5日曲线模型—伏安特性曲线V(BR)I/mAV/VVD(on)-IS当VVD(on)时二极管导通当VVD(on)时二极管截止当反向电压V?V(BR)时二极管击穿晶体二极管的伏安特性曲线，通常由实测得到。第40页，共59页，星期日，2025年，2月5日简化电路模型折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中，实际二极管的伏安特性。IVVD(on)IVOabIVVD(on)abVD(on)RDD+-理想状态：与外电路相比，VD(on)和RD均可忽略时，