单层MoS₂中金属与半导体相电接触理论研究.pdfVIP

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Atheoreticalstudyoftheelectricalcontactweenmetallicandsemiconductingphasesin

monolayerMoS2

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20172DMater.4015014

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PAPER

单层MoS中金属相与相之间电接触的理论研究

2

收到日期2016

年7月10日

修订日期2016年10月

4日

12

温德尔·S·帕兹和JJPalacios

接受日期

12

凝聚态系，马德里自治大学，坎托布兰科，28049马德里，西班牙凝聚态系，尼古拉斯·卡夫雷拉

日期（INC）和凝聚态（IFIMAC），马德里自治大学，坎托布兰科，28049马德里，西班牙

电子邮件：scal1@.com和juanjose.palacios@uam.es

,

：MoS2横向异质结，接触电阻，量子输运，DFT

我们对二硫化钼（MoS）单层晶体中最常见的两种晶体结构相之间的电接触进行了理论

2

研究：稳定的2H相和亚稳态的金属1T相。通过密度泛函理论（DFT）对两相之间

界面电子结构的研究表明，对于未掺杂的2H相，电子的肖特基势垒高于空穴。电荷会从

1T相转移到2H相，但正如对一维接触所预期的那样，所产生的偶极势在离开界面后逐渐衰

减，且远离界面处恢复了简单的肖特基‑莫特能带对齐图像。由于边缘态向体态中的渗透程

度不同，偶极势的衰减长度在锯齿型界面中比在扶手椅型界面中更大。结合DFT结果的紧

量子输运计算普遍证实了接触电阻处于≈200–400Ωμm的低范围内，这与实验一

致。此外，计算还预测在扶手椅型界面处电子注入的接触电阻更小，而在锯齿型