半导体物理基础:半导体器件工作原理_(1).半导体物理基础:固体物理与半导体概述.docxVIP

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半导体物理基础:固体物理与半导体概述

1.固体物理基础

1.1固体的分类

固体可以分为三大类:-晶体:原子或分子在空间中按规律排列,具有周期性。-非晶体:原子或分子无规律排列,不具有周期性。-准晶体:介于晶体和非晶体之间,具有部分周期性但不完全规则。

1.2晶体结构

晶体结构是固体物理中的基本概念之一。常见的晶体结构有:-立方晶系(如金刚石、硅)-六方晶系(如氮化镓)-正交晶系(如硫化锌)

1.2.1布拉维格子

布拉维格子是描述晶体结构的基本单元。它由三个非共面的基矢量a1,a2,a3定义,形成了一个三维空间的周期性点阵。常见的布拉维格子类型有:-简单立方(SC)-面心立方(FCC)-

1.2.2原子基团

在布拉维格子的基础上,每个格点上可以有一个或多个原子基团。例如,金刚石结构中的每个格点上有一个碳原子,而硅的每个格点上有一个硅原子。

1.3能带理论

能带理论是描述固体中电子能级的理论框架。在晶体中,电子的能量状态不是孤立的能级,而是形成连续的能带。主要能带有:-价带(ValenceBand):被电子填满的能带。-导带(ConductionBand):空的能带,可以容纳自由电子。-禁带(BandGap):价带和导带之间的能量区域,电子无法存在。

1.3.1能带的形成

能带的形成可以通过考虑晶体中原子之间的相互作用。当原子靠近时,它们的价电子波函数会发生重叠,导致能级分裂,形成能带。例如,对于硅晶体,其能带结构可以通过以下代码进行模拟:

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义硅的能带参数

E_c=0#导带底能

E_v=-0.5#价带顶能

E_gap=E_c-E_v#禁带宽度

#定义k空间范围

k=np.linspace(-np.pi,np.pi,1000)

#计算能带能量

E_conduction=E_c+0.5*(1-np.cos(k))

E_valence=E_v+0.5*(1-np.cos(k))

#绘制能带图

plt.figure(figsize=(10,6))

plt.plot(k,E_conduction,label=ConductionBand)

plt.plot(k,E_valence,label=ValenceBand)

plt.axhline(y=E_v,color=r,linestyle=--,label=E_v)

plt.axhline(y=E_c,color=g,linestyle=--,label=E_c)

plt.axhline(y=E_gap,color=b,linestyle=--,label=E_gap)

plt.xlabel(k(ReciprocalLatticeVector))

plt.ylabel(Energy(eV))

plt.title(SiliconBandStructure)

plt.legend()

plt.grid(True)

plt.show()

1.4电子在晶体中的运动

电子在晶体中的运动受到周期性势场的影响。在能带理论中,电子的运动可以用波矢k来描述。电子的能量E与其波矢k之间的关系称为色散关系Ek

1.4.1布洛赫定理

布洛赫定理指出,晶体中的电子波函数可以表示为:

ψ

其中,ur

1.5电子和空穴

在半导体中,电子可以被激发从价带跃迁到导带,留下一个空穴。电子和空穴的数量和运动状态对半导体的电导率有重要影响。

1.5.1电子和空穴的浓度

电子和空穴的浓度可以通过费米-狄拉克分布函数计算:

n

p

其中,gcE和gv

1.6费米能级

费米能级EF

1.6.1费米能级的计算

费米能级可以通过以下代码进行计算:

deffermi_dirac_distribution(E,E_F,T):

费米-狄拉克分布函数

:paramE:能量(eV)

:paramE_F:费米能级(eV)

:paramT:温度(K)

:return:分布函数值

k_B=8.617e-5#波尔兹曼常数(eV/K)

return1/(1+np.exp((E-E_F)/(k_B*T)))

#定义参数

E_F=-0.1#费米能级(eV)

T=300#温度(K)

E=np.linspace(-1,1,100

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