半导体物理基础：载流子输运理论_（8）.非平衡载流子的产生与复合.docxVIP

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非平衡载流子的产生与复合

1.非平衡载流子的概念

在半导体物理中，非平衡载流子是指在外部激励（如光照射、电场、温度变化等）作用下，半导体内部产生的多余电子和空穴。这些非平衡载流子的存在打破了半导体内部的热平衡状态，导致载流子浓度的变化。这些变化对于半导体器件的性能至关重要，例如在太阳能电池中，非平衡载流子的产生和复合直接影响光生电流的大小。

1.1非平衡载流子的产生

非平衡载流子的产生主要通过以下几种途径：

光生载流子：当半导体材料受到光照射时，光子能量大于或等于材料的带隙能量，可以将价带的电子激发到导带，从而产生电子-空穴对。

电场注入：在半导体器件中，通过外加电场可以将载流子从一个区域注入到另一个区域，打破热平衡状态。

热激发：在高温下，热能可以激发价带的电子跃迁到导带，产生非平衡载流子。

1.2非平衡载流子的复合

非平衡载流子的复合是指电子和空穴重新结合并释放能量的过程。复合过程可以分为以下几种类型：

直接复合：电子直接从导带跃迁到价带，释放出一个光子。

间接复合：电子通过中间能级（如陷阱能级）跃迁到价带，释放出能量。

俄歇复合：电子和空穴通过与另一个自由载流子的相互作用而复合，释放的能量被第三个载流子吸收。

2.非平衡载流子的产生机制

2.1光生载流子的产生

光生载流子的产生过程可以描述为：

吸收光子：半导体材料吸收光子，光子能量大于或等于材料的带隙能量。

电子跃迁：价带中的电子被激发到导带，产生一个电子-空穴对。

载流子扩散：产生的电子和空穴在半导体内部扩散，形成非平衡载流子分布。

2.1.1光吸收系数

光吸收系数α描述了半导体材料吸收光子的能力，单位为cm??

2.1.2光生载流子的浓度

光生载流子的浓度Δn和Δp

Δ

其中G是光生载流子的生成率，单位为cm??3s

2.2电场注入载流子的产生

电场注入载流子的产生过程可以描述为：

外加电场：在半导体器件中施加外加电场，使载流子从一个区域注入到另一个区域。

载流子加速：外加电场使载流子加速，增加其能量。

载流子迁移：加速的载流子在半导体内部迁移，形成非平衡载流子分布。

2.2.1载流子注入率

载流子注入率J可以通过以下方程计算：

J

其中q是电子电荷，μ是载流子的迁移率，n是载流子浓度，E是外加电场强度。

2.3热激发载流子的产生

热激发载流子的产生过程可以描述为：

热能激发：高温下，热能可以激发价带的电子跃迁到导带。

载流子浓度变化：热激发导致载流子浓度增加，形成非平衡载流子分布。

2.3.1热激发载流子的浓度

热激发载流子的浓度ne

n

其中n0是本征载流子浓度，Eg是带隙能量，k是玻尔兹曼常数，T

3.非平衡载流子的复合机制

3.1直接复合

直接复合是指电子直接从导带跃迁到价带，释放出一个光子。这种复合过程通常发生在直接带隙半导体中，如GaAs。

3.1.1直接复合的速率

直接复合的速率R可以通过以下方程计算：

R

其中B是直接复合系数，单位为cm?3/s，n和p

3.2间接复合

间接复合是指电子通过中间能级（如陷阱能级）跃迁到价带，释放出能量。这种复合过程通常发生在间接带隙半导体中，如Si和Ge。

3.2.1间接复合的速率

间接复合的速率R可以通过以下方程计算：

R

其中C是间接复合系数，单位为cm?3/s，n和p

3.3俄歇复合

俄歇复合是指电子和空穴通过与另一个自由载流子的相互作用而复合，释放的能量被第三个载流子吸收。这种复合过程通常发生在高浓度载流子条件下，如n型和p型半导体。

3.3.1俄歇复合的速率

俄歇复合的速率R可以通过以下方程计算：

R

其中A是俄歇复合系数，单位为cm?6/s，n和p

4.非平衡载流子的寿命

非平衡载流子的寿命τ描述了载流子在半导体中存活的时间。寿命的长短直接影响半导体器件的工作性能，例如在太阳能电池中，载流子的寿命决定了光生电流的大小。

4.1载流子寿命的定义

载流子寿命τ定义为非平衡载流子浓度减少到其初始值的1/e所需的时间。对于电子和空穴，寿命可以分别表示为τn和τ

4.2载流子寿命的计算

载流子寿命可以通过以下方程计算：

τ

τ

其中B、C和A分别是直接复合系数、间接复合系数和俄歇复合系数。

4.3载流子寿命的影响因素

载流子寿命受到多种因素的影响，包括：

材料缺陷：材料中的缺陷可以作为陷阱能级，加速载流子的复合。

温度：温度的变化会影响载流子的复合速率。

电场：外加电场可以影响载流子的迁移，进而影响其寿命。

5.非平衡载流子的输运

非平衡载流子在半导体中的输运过程包括扩散和漂移。这些输运过程直接影响半导体器件