光电器件技术考试题库及答案.docxVIP

光电器件技术考试题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种效应属于外光电效应？

A.光伏效应

B.光电导效应

C.光电发射效应

D.光生伏特效应

答案：C

解析：外光电效应指光电子逸出材料表面的现象（如光电发射），内光电效应指材料内部载流子浓度变化（如光伏效应、光电导效应）。

2.半导体发光二极管（LED）的发光机制是？

A.受激辐射

B.自发辐射

C.热辐射

D.场致发光

答案：B

解析：LED通过PN结注入载流子复合时的自发辐射发光，而半导体激光器（LD）依赖受激辐射。

3.为提高光电探测器的响应速度，关键是要降低器件的？

A.暗电流

B.结电容

C.量子效率

D.光谱响应范围

答案：B

解析：响应速度由载流子渡越时间和RC时间常数决定，结电容（C）减小可降低RC时间，提升速度。

4.光伏电池的开路电压（Voc）主要取决于？

A.电池面积

B.材料禁带宽度

C.光照强度

D.串联电阻

答案：B

解析：Voc与材料的禁带宽度（Eg）直接相关，公式近似为Voc≈(Eg/q)-(kT/q)ln(Jo/JL)，其中Jo为反向饱和电流，JL为光生电流。

5.以下哪种材料最适合制作紫外光探测器？

A.硅（Si，Eg=1.1eV）

B.砷化镓（GaAs，Eg=1.43eV）

C.氮化镓（GaN，Eg=3.4eV）

D.碲镉汞（HgCdTe，Eg可调至0.1eV）

答案：C

解析：材料禁带宽度需大于光子能量（E=hc/λ），紫外光（λ≈300nm）光子能量约4.1eV，GaN的Eg（3.4eV）接近且略小，可吸收紫外光；Si、GaAs禁带较窄，主要响应可见光/近红外。

6.半导体激光器（LD）实现激光输出的必要条件是？

A.粒子数反转且增益大于损耗

B.存在PN结

C.自发辐射占主导

D.工作在正向偏置

答案：A

解析：激光输出需满足粒子数反转（实现受激辐射）和阈值条件（增益≥损耗）。

7.电荷耦合器件（CCD）的核心功能是？

A.光电转换与电荷存储

B.光信号放大

C.光谱分析

D.图像显示

答案：A

解析：CCD通过光电转换生成电荷，再通过转移电极实现电荷包的存储与移位，最终输出电信号。

8.以下哪种器件属于主动发光器件？

A.光电二极管（PD）

B.液晶显示器（LCD）

C.有机发光二极管（OLED）

D.光敏电阻（LDR）

答案：C

解析：主动发光器件（如OLED、LED、LD）可自行发光；被动器件（如LCD）依赖外部光源。

9.为减小光电倍增管（PMT）的暗电流，最有效的措施是？

A.增大阳极电压

B.降低工作温度

C.增加光阴极面积

D.使用宽禁带材料

答案：B

解析：暗电流主要由热电子发射（热噪声）产生，降低温度可显著减少热电子逸出。

10.光纤通信中，1550nm波段常用的光电探测器是？

A.Si-PIN二极管

B.InGaAs-PIN二极管

C.GaN-APD

D.光敏三极管

答案：B

解析：InGaAs材料的禁带宽度约0.75eV（对应波长≈1650nm），可响应1550nm光；Si的截止波长约1100nm，无法覆盖1550nm。

二、填空题（每空1分，共20分）

1.光电效应分为外光电效应和内光电效应，其中________效应是光生载流子在材料内部运动产生电信号的现象。

答案：内

2.半导体LED的发光颜色由材料的________决定，其峰值波长λ≈________（单位：nm，用Eg（eV）表示）。

答案：禁带宽度；1240/Eg

3.光伏电池的能量转换效率η=（________×________）/(Pin)，其中Pin为入射光功率。

答案：开路电压Voc；短路电流Isc×填充因子FF

4.光电探测器的响应度R定义为________与________的比值，单位为A/W。

答案：输出光电流；入射光功率

5.半导体激光器的阈值条件是________≥________，其中g为增益系数，α为损耗系数。

答案：增益系数g；总损耗α

6.CCD的基本单元由________、________和________三部分组成，核心是通过________实现电荷包的转移。

答案：光电二极管；转移电极；输出二极管；时钟脉冲电压

7.雪崩光电二极管（APD）的工作原理是