CN115810577B 半导体结构及其形成方法 （长鑫存储技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115810577B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202111067349.3

(22)申请日2021.09.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115810577A

(43)申请公布日2023.03.17

(73)专利权人长鑫存储技术有限公司

地址230000安徽省合肥市经济技术开发

区空港工业园兴业大道388号

(72)发明人卢经文王晓玲

(51)Int.CI.

HO1L21/762(2006.01)

HO1L21/764(2006.01)

H10B12/00(2023.01)

(56)对比文件

CN102842615A,2012.12.26

CN103904115A,2014.07.02审查员谢晶鑫

权利要求书2页说明书8页附图15页

(54)发明名称

提供衬底刻蚀所述衬底，形成多个有源区、位于相邻所述有源

提供衬底

刻蚀所述衬底，形成多个有源区、位于相邻所述有源区之间的沟槽、以及位于所述有源区下方的空气隙

形成至少填充所述沟槽的填充层

S13

S12

(57)摘要

CN115810577B本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成多个有源区、位于相邻所述有源区之间的沟槽、以及位于所述有源区下方的空气隙；形成至少填充所述沟槽的填充层。本发明有效阻挡了来自于底部的电子对有源区的干扰，降低了所述半导体结构工作过程中相邻有源区之间的

CN115810577B

CN115810577B权利要求书1/2页

2

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

形成覆盖所述衬底的掩模层，所述掩模层中具有暴露所述衬底的开口；

沿所述开口刻蚀所述衬底，形成多个均沿第一方向延伸的第一初始有源区，且多个所述第一初始有源区沿第二方向平行排布，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底的表面，且所述第一方向与所述第二方向相交，相邻所述第一初始有源区之间具有第一凹

槽；

沉积介质材料于所述衬底上，形成填充满所述第一凹槽的第一介质层；

刻蚀所述掩模层、所述第一初始有源区和所述第一介质层，形成多个沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩模层、所述第一初始有源区和所述第一介质层的第二凹槽，若干所述第二凹槽将一个所述第一初始有源区分割为多个第二初始有源区；

沿所述第二凹槽继续向下刻蚀所述衬底，于所述第二凹槽下方形成第三凹槽，多个所述第三凹槽将所述衬底分隔为多个承载部；

形成填充满所述第二凹槽和所述第三凹槽的支撑层；

去除部分所述第一介质层，形成位于相邻所述第二初始有源区之间的沟槽，残留的所述第一介质层作为调整层；

形成覆盖所述第二初始有源区表面和所述掩模层表面的第二介质层；

去除所述调整层和位于所述掩模层顶面的所述第二介质层，暴露所述第二初始有源区的下部；

去除暴露的所述第二初始有源区的下部，形成有源区以及位于所述有源区与所述承载部之间的空气隙；

形成至少填充所述沟槽的填充层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在沿所述第二方向上，所述第二凹槽贯穿位于相邻的两个所述第一初始有源区之间的所述第一介质层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三凹槽的深度为所述第二初始有源区深度的1/5~1/4。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述调整层的高度为所述第二初始有源区高度的1/8~1/10。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成至少填充所述沟槽的填充层之前，还包括如下步骤：

去除所述掩模层和所述第二介质层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成至少填充所述沟槽的填充层的具体步骤包括：

采用原子层沉积工艺沉积绝缘材料于所述沟槽内，形成所述填充层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料与所述支撑层的材料相同。

8.一种半导体结构，采用权利要求1-7任一所述的方法形成，其特征在于，包括：

衬底；

多个有源区，位于所述衬底上，相邻的所述有源区之间具有沟槽；

CN115810577B