2025年（微电子科学与工程）半导体材料试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与工程）半导体材料试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单选题（每题2分，共20分）

1.以下哪种材料不属于半导体材料？（）

A.硅B.锗C.铜D.砷化镓

2.半导体的导电性能介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.绝缘体和超导体D.以上都不对

3.硅的晶体结构是（）。

A.面心立方B.体心立方C.金刚石结构D.简单立方

4.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度B.杂质浓度C.光照D.压力

5.P型半导体中，多数载流子是（）。

A.电子B.空穴C.离子D.中子

6.N型半导体中，少数载流子是（）。

A.电子B.空穴C.离子D.中子

7.当温度升高时，半导体的导电能力（）。

A.增强B.减弱C.不变D.不确定

8.半导体二极管的核心是（）。

A.PN结B.电极C.外壳D.引线

9.以下哪种半导体器件具有单向导电性？（）

A.三极管B.二极管C.场效应管D.晶闸管

10.半导体集成电路的基础是（）。

A.二极管B.三极管C.电阻D.电容

答案：1.C2.A3.C4.B5.B6.B7.A8.A9.B10.B

二、多选题（每题2分，共20分）

1.常见的半导体材料有（）。

A.硅B.锗C.砷化镓D.碳

2.半导体材料的特性包括（）。

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.超导性

3.硅半导体材料的优点有（）。

A.储量丰富B.易于提纯C.成本低D.性能稳定

4.杂质半导体分为（）。

A.P型半导体B.N型半导体C.本征半导体D.化合物半导体

5.影响半导体导电性能的因素有（）。

A.温度B.杂质浓度C.光照D.压力

6.半导体二极管的主要参数有（）。

A.最大整流电流B.反向电流C.最高反向工作电压D.极间电容

7.半导体三极管按结构可分为（）。

A.NPN型B.PNP型C.N型D.P型

8.场效应管的特点有（）。

A.输入电阻高B.噪声低C.功耗低D.抗辐射能力强

9.半导体集成电路按功能可分为（）。

A.数字集成电路B.模拟集成电路C.微波集成电路D.功率集成电路

10.半导体材料在微电子领域的应用包括（）。

A.制造芯片B.传感器C.发光二极管D.太阳能电池

答案：1.ABC2.ABC3.ABCD4.AB5.ABCD6.ABCD7.AB8.ABCD9.ABCD10.ABCD

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述半导体的导电原理。

___

2.什么是PN结？PN结有哪些特性？

___

3.说明杂质半导体中多数载流子和少数载流子的形成过程。

___

4.简述半导体二极管的工作原理。

___

答案：

1.半导体中存在两种载流子，电子和空穴。在电场作用下，电子和空穴会定向移动形成电流。本征半导体中电子和空穴数量相等，导电能力较弱。当掺入杂质后，形成杂质半导体，多数载流子浓度增加，导电能力增强。

2.PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成。其特性有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止；还有电容效应，包括势垒电容和扩散电容。

3.在N型半导体中，杂质原子提供多余电子成为多数载流子，本征激发产生的空穴成为少数载流子。在P型半导体中，杂质原子形成空穴成为多数载流子，本征激发产生的电子成为少数载流子。

4.半导体二极管由PN结加上电极和外壳组成。当外加正向电压时，PN结导通，电流可以顺利通过；当外加反向电压时，PN结截止，电流几乎不能通过，从而实现单向导电。

四、判断题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的导电性能不受外界因素影响。（）

2.本征半导体中没有载流子。（）

3.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）

4.PN结正向偏置时电阻很大。（）

5.半导体二极管的反向电流越小越好。（）

6.三极管具有放大作用。（）

7.场效应管是电流控制型器件。（）

8.半导体集成电路的集成