CN111800716B 一种mems结构及其形成方法 （安徽奥飞声学科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111800716B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202010637295.9

(22)申请日2020.07.03

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111800716A

(43)申请公布日2020.10.20

审查员周浩杰

(73)专利权人安徽奥飞声学科技有限公司

地址230092安徽省合肥市高新区习友路

3333号中国(合肥)国际智能语音产业

园研发中心楼611-91室

(72)发明人李冠华夏永禄刘端

(51)Int.CI.

H04R19/00(2006.01)

H04R19/01(2006.01)

(56)对比文件

CN212086492U,2020.12.04权利要求书2页说明书7页附图14页

(54)发明名称

一种MEMS结构及其形成方法

(57)摘要

CN111800716B本申请公开了一种MEMS结构，包括：衬底，具有空腔；第一单元层，连接于衬底并且覆盖空腔，第一单元层包括从下向上依次层叠的第一电极层、第一压电层和第二电极层，并且第一压电层和第二电极层具有贯穿开口；第二单元层，形成在第一单元层上方或下方，第二单元层包括第二压电层和邻近第二压电层的第三电极层，第二压电层位于第一电极层下方或者第二压电层位于第二电极层上方，第二压电层的投影区域小于空腔的投影区域且大于贯穿开口的投影区域。该MEMS结构中的双晶片结构降低了残余应力，减小了振膜的翘曲，同时提高了MEMS结构的灵敏度。

CN111800716B

CN111800716B权利要求书1/2页

2

1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：

衬底，具有空腔；

第一单元层，连接于所述衬底并且覆盖所述空腔，所述第一单元层包括：从下向上依次层叠的第二电极层、第二压电层和第三电极层，并且所述第二压电层和所述第三电极层具有贯穿开口；

第二单元层，形成在所述第一单元层下方，所述第二单元层包括：第一压电层和邻近所述第一压电层的第一电极层，所述第一压电层位于所述第二电极层下方，所述第一压电层的投影区域小于所述空腔的投影区域且大于所述贯穿开口的投影区域；

其中，衬底包括：硅或硅基化合物。

2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，

当所述第一压电层位于所述第二电极层下方时，所述MEMS结构还包括第一隔离层，所述第一隔离层用于将所述第一电极层和所述第二电极层分隔开，并且所述第二电极层覆盖在所述第一压电层上方。

3.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层的导线部分固定连接至所述衬底，所述第一隔离层覆盖所述在所述第一电极层上方。

4.根据权利要求3所述的MEMS结构，其特征在于，所述第三电极层的导线部分向外延伸，并且与所述第一电极层的导线部分错位布置。

5.根据权利要求4所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层具有至少两个相互隔离的分区，相互对应的所述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层的分区构成电极层对，多个所述电极层对依次串联。

6.根据权利要求5所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层具有相应的12个等角度分区。

7.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述第二压电层的外边缘位于所述第二电极层的外边缘之外，所述第二压电层包裹所述第二电极层的外边缘。

8.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构还包括牺牲层，所述牺牲层形成在所述衬底上方，所述第一电极层通过所述牺牲层连接至所述衬底。

9.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构包括压电式MEMS麦克

风。

10.一种MEMS结构，其特征在于，包括：

衬底，具有空腔；

第一单元层，连接于所述衬底并且覆盖所述空腔，所述第一单元层包括：从下向上依次层叠的第二电极层、第二压电层和第三电极层；

第二单元层，形成在所述第一单元层下方，所述第二单元层包括：第一压电层和邻近所述第一压电层的第一电极层，所述第一压电层位于所述第二电极层下方，

并且所述第一压电层和所述第一电极层具有贯穿开口，所述第二压电层的投影区域小于所述空腔的投影区域且大于所述贯穿开口的投影区域