Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米及异质结构：制备工艺与特性的深度探索.docxVIP

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米及异质结构：制备工艺与特性的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，Ⅲ-Ⅴ族半导体凭借其独特的物理性质，占据着极为关键的地位。这类半导体由元素周期表中Ⅲ族元素（如镓（Ga）、铟（In）、铝（Al））与Ⅴ族元素（如氮（N）、磷（P）、砷（As））化合而成，具有直接带隙、高电子迁移率和饱和漂移速率等优异特性，使其在现代科技的众多前沿领域发挥着不可或缺的作用。

在光电子领域，Ⅲ-Ⅴ族半导体是制造高性能光电器件的核心材料。以半导体激光器为例，基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的激光器广泛应用于光通信、光存储、激光加工等领域。在光通信中，它们作为光源，实