CN111135450B 一种带有凸台结构的微针制备方法 （湖北楚天药业有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111135450B(45)授权公告日2025.07.15

(21)申请号202010036590.9

(22)申请日2020.01.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111135450A

(43)申请公布日2020.05.12

(73)专利权人湖北楚天药业有限责任公司

地址441300湖北省随州市擂鼓墩大道160

号

(72)发明人王媛媛

C23C16/04(2006.01)

C23C16/34(2006.01)

C23C16/50(2006.01)

C23C16/56(2006.01)

C30B33/00(2006.01)

C30B33/02(2006.01)

(56)对比文件

KR20170024951A,2017.03.08CN212308650U,2021.01.08

审查员赵毕妍

(74)专利代理机构深圳市众元信科专利代理有

限公司44757专利代理师郑妍宇

(51)Int.CI.

A61M37/00(2006.01)

C23C16/02(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

一种带有凸台结构的微针制备方法

(57)摘要

CN111135450B本发明公开了一种带有单个或多个凸台结构的微针及其制备方法，包括单晶硅基片净化、制备单晶硅基片保护膜、硅基片保护膜图形化、制备凸台和微针本体和后处理；本发明的有效果在于，本发明设计了带有凸台结构的纳米单晶硅微针，可穿透皮肤角质层而不触碰真皮层和皮下神经系统，在不造成皮肤疼痛及刺激的情况下为生物医药等介质经皮进入创造了通道，同时凸台结构的存在可有效扩展经皮引入的通路及扩充

CN111135450B

CN111135450B权利要求书1/2页

2

1.一种带有凸台结构的微针制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1,单晶硅基片净化：采用标准清洗液RCA1与过氧化物的混合液清洗，用去离子水清洗并脱水；

步骤2,制备单晶硅基片保护膜：采用高温热氧化制备二氧化硅保护膜，或采用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅保护膜；

步骤3,硅基片保护膜图形化：实心硅微针执行步骤3.1,空心硅微针执行步骤3.2:

步骤3.1,在硅基片的一面均匀涂一层光刻胶，厚度1～20μm,在80～120℃预烘干，然后覆盖带有设计图案的掩膜，曝光5～100s,然后显影并烘干；

进一步地，用湿法刻蚀或离子束对曝光处二氧化硅或氮化硅保护膜进行刻蚀，在硅基片保护膜上形成所需要的图案；

步骤3.2,在硅基片的第一面涂光刻胶，覆盖圆形、三角形或多边形的掩膜，曝光、显影并烘干；

进一步地，用湿法刻蚀或离子束对硅基片第一面曝光处二氧化硅或氮化硅保护膜进行刻蚀，在硅基片第一面保护膜上形成所需要的图案；

进一步地，用各向异性干法深硅刻蚀，形成贯通孔(4)或非贯通孔(5);进一步地，在孔洞内壁用等离子体气相沉积法生成氮化硅保护膜；

进一步地，在硅基片的第二面涂光刻胶，覆盖带有设计图案的掩膜，曝光、显影并烘干；

进一步地，用湿法刻蚀或离子束对曝光处二氧化硅或氮化硅保护膜进行刻蚀，在硅基片保护膜上形成所需要的图案；

步骤4,制备凸台和微针本体，包括如下步骤：

步骤4.1,用各向同性工艺第一次刻蚀保护膜图形化的硅基片；

步骤4.2,进行第一次侧壁钝化；

步骤4.3,第一次用等离子体轰击去除底部钝化层；步骤4.4,第二次各向同性工艺刻

蚀；

步骤4.5,第二次侧壁钝化；

步骤4.6,第二次用等离子体轰击去除底部钝化层，形成凸台结构(2);步骤4.7,如需制备多个凸台结构(2),重复步骤4.1～4.6;

步骤4.8,用各向异性工艺深硅刻蚀，形成微针本体(1);步骤4.9,用各向同性刻蚀直至微针本体(1)的针尖形成；

步骤5,后处理，用化学气相沉积法或物理气相沉积或溅射法沉积一层氮化硅薄膜，或金属钛薄膜，增加微针本体(1)的机械性能及生物相容性；

所述带有凸台结构的微针包括支撑体(3)和带有凸台结构(2)的微针本体(1)阵列；所述微针本体(1)为上小下大的圆锥形或多棱锥形结构，其有效高度为1~2000μm,针尖尺寸为1nm~50μm