CN113613474B 导热膜制备方法 （德州宇航派蒙石墨烯科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113613474B

(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202110967267.8

(22)申请日2021.08.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113613474A

(43)申请公布日2021.11.05

(73)专利权人德州宇航派蒙石墨烯科技有限责

任公司

地址253000山东省德州市经济技术开发

区袁桥镇东方红东路6596号

(72)发明人谭化兵潘卓成潘智军李磊

(74)专利代理机构北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙)11686

专利代理师张超艳

(51)Int.CI.

HO5K7/20(2006.01)

C01B32/184(2017.01)

C01B32/194(2017.01)

(56)对比文件

CN

CN

CN

CN

109650892

105624640

112408371

113233446

A,2019.04.19

A,2016.06.01

A,2021.02.26

A,2021.08.10

审查员周俞俊

权利要求书2页说明书5页附图1页

(54)发明名称

在基材表面涂布氧化石墨烯浆料，烘烤成氧化石墨烯薄膜，对氧化石墨烯薄膜进行基材剥离和收卷

在基材表面涂布氧化石墨烯浆料，烘烤成氧化石墨烯薄

膜，对氧化石墨烯薄膜进行基材剥离和收卷

对收卷后的氧化石墨烯薄膜进行热还原处理，获得石墨

烯薄膜

S3

对石墨烯薄膜进行焦耳热石墨化处理

对焦耳热石墨化处理后的石墨烯薄膜进行压延处理，获得导热膜

(57)摘要

CN113613474B本发明提供导热膜制备方法，包括：在基材表面涂布氧化石墨烯浆料，烘烤成氧化石墨烯薄膜，对氧化石墨烯薄膜进行基材剥离和收卷；对收卷后的氧化石墨烯薄膜进行热还原处理，获得石墨烯薄膜；对石墨烯薄膜进行焦耳热石墨化处理；对焦耳热石墨化处理后的石墨烯薄膜进行压

CN113613474B

CN113613474B权利要求书1/2页

2

1.一种导热膜制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1,在基材表面涂布氧化石墨烯浆料，烘烤成氧化石墨烯薄膜，对氧化石墨烯薄膜进行基材剥离和收卷；

步骤S2,对收卷后的氧化石墨烯薄膜进行热还原处理，获得石墨烯薄膜；

步骤S3,对石墨烯薄膜进行焦耳热石墨化处理；

步骤S4,对焦耳热石墨化处理后的石墨烯薄膜进行压延处理，获得导热膜，所述压延压力为50-200MPa;

所述步骤S2包括：采用气氛保护推板炉，将氧化石墨烯薄膜置于推板炉内，在推板炉进料口和出料口设置放料和收料牵引装置，实现卷对卷式放料和收料；

所述步骤S2还包括：

对石墨烯薄膜进行连续式压延处理，压延处理中的压力为2-20MPa,对压延后的石墨烯薄膜收卷；

所述步骤S3包括：在气氛保护的推板炉内设置焦耳热石墨化区；在气氛保护的推板炉进料区和出料区设置卷对卷式送料和收料装置；

全程实现卷对卷式生产。

2.根据权利要求1所述的导热膜制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

采用涂布机将氧化石墨烯浆料涂布至基材表面；

对涂布在基材表面的氧化石墨烯浆料进行烘烤成膜，并与基材剥离并收卷。

3.根据权利要求2所述的导热膜制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，涂布后烘烤温度为50-150℃,烘烤时间为1-60分钟。

4.根据权利要求3所述的导热膜制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，烘烤温度为60-80℃,时间为20-40分钟。

5.根据权利要求1或2所述的导热膜制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯浆料的固含量为1-30wt%,黏度为1000-100000cps;或/和

所述基材为PE(聚乙烯)网、PP(聚丙烯)滤布或硅胶保护膜。

6.根据权利要求1所述的导热膜制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

在推板炉内通入保护性气体；

设定推板炉内多个温度区间的温度和氧化石墨烯薄膜运行速度；

按照设定的氧化石墨烯薄膜的运行速度在推板炉的多个温度区间内进行热还原，获得石墨烯薄膜。

7.根据权利要求6所述的导热膜制备方法，其特征在于，所述保护性气体为高纯氮气或高纯氩气。

8.根据权利要求7所述的导热膜制备方法，其特征在于，所述保护性气体的氧气含量控制在60ppm以下。

9.根据权利要求6所述的导热膜制备方法，其特征在于，所述多个温度区间包括第一低温区、第二中温区和第三高温区，第一