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2026校招：工艺整合试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种工艺常用于芯片制造中的光刻步骤？

A.化学气相沉积

B.光刻胶涂覆

C.蚀刻

D.离子注入

2.工艺整合中，衡量工艺稳定性的指标是？

A.良率

B.产能

C.成本

D.尺寸精度

3.哪种气体常用于化学气相沉积工艺？

A.氧气

B.氮气

C.硅烷

D.氢气

4.蚀刻工艺主要是为了？

A.去除多余材料

B.沉积材料

C.改变材料性质

D.增加材料厚度

5.离子注入的主要目的是？

A.改变材料导电性

B.增加材料硬度

C.提高材料密度

D.改变材料颜色

6.光刻工艺中，曝光光源的波长越短？

A.分辨率越高

B.分辨率越低

C.对光刻胶要求越低

D.光刻速度越快

7.化学机械抛光的作用是？

A.表面平整化

B.材料沉积

C.图案转移

D.离子掺杂

8.以下哪种工艺不属于薄膜制备工艺？

A.物理气相沉积

B.电镀

C.光刻

D.原子层沉积

9.工艺整合中，设备维护的主要目的是？

A.提高产能

B.保证工艺稳定性

C.降低成本

D.增加设备寿命

10.芯片制造中，晶圆清洗的主要目的是？

A.去除表面杂质

B.改变表面性质

C.增加表面光泽

D.提高晶圆硬度

多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合涉及的主要工艺有？

A.光刻

B.蚀刻

C.沉积

D.离子注入

2.影响光刻分辨率的因素有？

A.曝光光源波长

B.光刻胶性能

C.掩膜版质量

D.曝光剂量

3.化学气相沉积工艺的优点包括？

A.沉积速率高

B.膜层质量好

C.可实现大面积沉积

D.对设备要求低

4.蚀刻工艺可分为？

A.干法蚀刻

B.湿法蚀刻

C.等离子蚀刻

D.化学蚀刻

5.离子注入工艺的特点有？

A.精确控制掺杂浓度

B.可实现浅结掺杂

C.对材料损伤小

D.工艺简单

6.薄膜制备工艺中，物理气相沉积包括？

A.溅射

B.蒸发

C.化学气相沉积

D.原子层沉积

7.工艺整合中，提高良率的方法有？

A.优化工艺参数

B.加强设备维护

C.提高人员操作技能

D.改善生产环境

8.化学机械抛光工艺的关键参数有？

A.压力

B.转速

C.抛光液成分

D.抛光时间

9.晶圆清洗工艺中常用的清洗剂有？

A.去离子水

B.氨水

C.盐酸

D.过氧化氢

10.工艺整合中，数据管理的重要性体现在？

A.工艺监控

B.故障诊断

C.工艺优化

D.产能规划

判断题（每题2分，共10题）

1.工艺整合的目标是将各个工艺步骤有机结合，实现高效、稳定的生产。（）

2.光刻工艺中，曝光剂量越大越好。（）

3.化学气相沉积只能沉积单一材料。（）

4.蚀刻工艺不会对材料造成损伤。（）

5.离子注入工艺可以精确控制掺杂的位置和浓度。（）

6.薄膜制备工艺中，物理气相沉积的膜层质量比化学气相沉积好。（）

7.工艺整合中，设备的自动化程度越高，生产效率越高。（）

8.化学机械抛光工艺可以完全消除表面的粗糙度。（）

9.晶圆清洗工艺对芯片制造的良率影响不大。（）

10.工艺整合过程中，数据管理只用于记录生产数据。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述工艺整合的主要流程。

先规划工艺目标与方案，确定各步骤顺序和参数。接着进行工艺开发与优化，在设备上调试。然后开展工艺验证，评估是否达标。最后实现量产，持续监控与改进。

2.光刻工艺的关键步骤有哪些？

关键步骤包括光刻胶涂覆，使晶圆表面均匀覆盖光刻胶；曝光，通过掩膜版将图案转移到光刻胶上；显影，去除曝光或未曝光部分光刻胶；坚膜，增强光刻胶的粘附性和耐蚀刻性。

3.化学机械抛光工艺的原理是什么？

基于机械摩擦和化学腐蚀协同作用。抛光垫与晶圆表面机械摩擦，去除材料。抛光液中的化学物质与晶圆表面发生化学反应，使材料更容易被去除，实现表面平整化。

4.工艺整合中如何进行工艺优化？

收集生产数据，分析各工艺参数对结果的影响。利用实验设计方法调整参数，找到最优组合。同时借鉴行业先进经验，结合自身生产情况改进，持续监控优化效果。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论工艺整合在芯片制造中的重要性。

工艺整合能协调各工艺步骤，确保芯片按设计要求制造。可提高生产效率、良率和产品性能，降低成本。整合不佳会导致工艺不匹配、良率低等问题，影响芯片质量和企业竞争力。

2.分析光刻工艺面临的挑战及解决方案。

挑战有分辨率提升难、光刻胶性能不足等。可研发更短波长曝光光源，提高分辨率。改进光刻胶配方，提升其灵敏度和分