CN119651343A 边发射半导体激光器及其制作方法 （中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119651343A(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411830981.2

(22)申请日2024.12.12

(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

地址215123江苏省苏州市工业园区若水

路398号

(72)发明人黄梦洋朱建军杨文献陆书龙张鹏顾颖华浩文龚毅

(74)专利代理机构苏州三英知识产权代理有限公司32412

专利代理师陆颖

(51)Int.CI.

H01SH01S

H01S

5/028(2006.01)

5/042(2006.01)

5/12(2021.01)

H01S5/10(2021.01)

H01S5/30(2006.01)

H01S5/22(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

边发射半导体激光器及其制作方法

(57)摘要

CN119651343A本发明公开了一种边发射半导体激光器及其制作方法，边发射半导体激光器包括衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延结构形成于衬底的第一表面上，外延结构背离衬底的一侧被构造成脊型结构，脊型结构包括在第一方向上呈周期性排布且具有预设几何形状的若干脊型单元，脊型单元的每个侧面均平行于形成脊型结构的半导体材料的晶面，若干脊型单元交叠排布或相切排布或间隔排布；钝化层形成于外延结构背离衬底的表面，钝化层上于脊型结构的顶部设有窗口区域；第一电极至少形成于窗口区域且与外延结构电连接；第二电极形成于衬底的第二

CN119651343A

CN119651343A权利要求书1/2页

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1.一种边发射半导体激光器，其特征在于，包括：

衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；

外延结构，形成于所述衬底的第一表面上，所述外延结构背离所述衬底的一侧被构造成脊型结构，所述脊型结构包括在第一方向上呈周期性排布且具有预设几何形状的若干脊型单元，所述脊型单元的每个侧面均平行于形成所述脊型结构的半导体材料的晶面，若干所述脊型单元交叠排布或相切排布或间隔排布；

钝化层，形成于所述外延结构背离所述衬底的表面，所述钝化层上于所述脊型结构的顶部设有窗口区域；

第一电极，至少形成于所述窗口区域且与所述外延结构电连接；

第二电极，形成于所述衬底的第二表面上。

2.根据权利要求1所述的边发射半导体激光器，其特征在于，所述脊型单元具有在所述第一方向上的第一尺寸L,若干所述脊型单元的排布周期T小于或者等于或者大于所述第一尺寸L。

3.根据权利要求1所述的边发射半导体激光器，其特征在于，所述脊型单元的预设几何形状包括六边形、三角形、四边形中的一种；和/或，

所述脊型单元的预设几何形状由六边形、三角形、四边形中的一种或多种组合而成。

4.根据权利要求1所述的边发射半导体激光器，其特征在于，所述外延结构包括沿远离所述衬底方向依次设置的n型限制层、下波导层、有源区、上波导层、p型限制层、p型接触层；

所述脊型结构的厚度小于所述p型限制层和p型接触层的厚度之和；或者，所述脊型结构的厚度大于所述p型限制层和p型接触层的厚度之和且小于所述外延结构和所述衬底的厚度之和。

5.根据权利要求1所述的边发射半导体激光器，其特征在于，所述边发射半导体激光器具有一用于出光的第一端面以及与所述第一端面相对设置的第二端面，所述第一端面上形成有减反射膜，所述第二端面上形成有高反射膜。

6.一种边发射半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上形成外

延层；

刻蚀所述外延层以形成脊型结构，所述脊型结构包括在第一方向上呈周期性排布且具有预设几何形状的若干脊型单元，所述脊型单元的每个侧面均平行于形成所述脊型结构的半导体材料的晶面，若干所述脊型单元交叠排布或相切排布或间隔排布；

至少在所述脊型结构的周面上形成钝化层；

至少在所述脊型结构的顶部形成电连接所述脊型结构的第一电极；

在所述第二表面上形成第二电极。

7.根据权利要求6所述的边发射半导体激光器的制作方法，其特征在于，在所述脊型结构的周面上形成钝化层的步骤之前，还包括：

采用化学试剂处理以去除所述脊型结构周面的刻蚀损伤的步骤；和/或，

在所述第二表面上形成第二电极的步骤之后，还包括：

对形成第一电极和第二电极后的样品进行热处理以提高欧姆接触质量的步骤