CN118409374A 一种基于数字掩模光刻技术的微透镜阵列的制作方法 （中国测试技术研究院）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118409374A

(43)申请公布日2024.07.30

(21)申请号202410385781.4

(22)申请日2024.04.01

(71)申请人中国测试技术研究院

地址610000四川省成都市玉双路10号

(72)发明人胡常安蔡骞孔令辉吕菲

彭德坤胡宝权赵涛

(74)专利代理机构成都正象知识产权代理有限

公司51252

专利代理师杜梦

(51)Int.Cl.

G02B3/00(2006.01)

G03F7/20(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图1页

(54)发明名称

一种基于数字掩模光刻技术的微透镜阵列

的制作方法

(57)摘要

本申请涉及微透镜阵列领域，公开了一种基

于数字掩模光刻技术的微透镜阵列的制作方法，

包括以下步骤：S1、设计灰度图，其中灰度图上每

个像素点的灰度值对应微透镜阵列的一个区域，

并决定该区域的曝光深度S2、通过光刻曝光步

骤，利用所述灰度图在光阻涂覆的硅片上形成微

透镜阵列的三维形状；S3、进行后处理以固定微

透镜阵列的形状；其中，所述灰度图是基于非线

性模型生成的，该非线性模型考虑了光阻材料的

响应特性。本发明制作方法的核心是利用数字掩

模光刻技术实现对硅片上光阻材料的精确曝光，

A从而形成微透镜阵列的三维形状。

4

7

3

9

0

4

8

1

1

N

C

CN118409374A权利要求书1/2页

1.一种基于数字掩模光刻技术的微透镜阵列的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

设计灰度图，其中灰度图上每个像素点的灰度值对应微透镜阵列的一个区域，并决定

该区域的曝光深度；

通过光刻曝光步骤，利用所述灰度图在光阻涂覆的硅片上形成微透镜阵列的三维形

状；

进行后处理以固定微透镜阵列的形状；

其中，所述灰度图是基于非线性模型生成的，该非线性模型考虑了光阻材料的响应特

性。

2.根据权利要求1所述的一种基于数字掩模光刻技术的微透镜阵列的制作方法，其特

征在于，所述非线性模型满足以下关系式：

D(x,y)＝∫S(λ)·I(λ)·f(I,t)·T(λ,G(x,y))dλλ

其中，D(x,y)是位置(x,y)处的嚗光深度，S(λ)是光源的光谱分布，I(λ)是波长为λ时的

光强，f(I,t)是光阻材料的非线性响应特性，T(λ,G(x,y))是光阻材料对应于灰度值G(x,y)

和波长λ的透过率。

3.根据权利要求2所述的一种基于数字掩模光刻技术的微透镜阵列的制作方法，其特

征在于，所述光阻材料的响应特性包括对光源的散射和反射的影响，且非线性模型进一步

根据光阻材料的散射特性和反射特性调整灰度图的生成，以计算光阻材料在特定灰度值下

对不同波长光的散射和反射引起的有效曝光深度变化，所述散射特性和反射特性的确定基

于以下关系：

R(x,y,λ)＝R(λ)+f(G(x,y),λ)

0

S(x,y,λ)＝S(λ)+g(G(x,y),λ)

0

其中，R(x,y,λ)表示在位置(x,y)处波长为λ的光反射率，S(x,y,λ)表示散射率，R(λ)和

0

S(λ)分别是未儤光光阻材料的基础反射率和散射率，函数f和g分别表示光阻材料在特定

0

灰度值下对应的反射率和散射率的变化。

4.根据权利