CN118641590A 一种自修复的气体传感器及其制作方法 （南京邮电大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118641590A

(43)申请公布日2024.09.13

(21)申请号202410573862.7

(22)申请日2024.05.10

(71)申请人南京邮电大学

地址210000江苏省南京市新模范马路66

号

申请人南京邮电大学南通研究院有限公司

(72)发明人任青颖陈曦张贤宇李卫

许杰姚佳飞牛永安

(74)专利代理机构南京禹为知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)32272

专利代理师徐陈芸

(51)Int.Cl.

G01N27/12(2006.01)

H01L27/15(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图5页

(54)发明名称

一种自修复的气体传感器及其制作方法

(57)摘要

本发明涉及气体传感器技术领域，公开了一

种自修复的气体传感器及其制作方法，此气体传

感器包括气敏单元和发光单元，其中，气敏单元，

其包括第一硅衬底，设置于所述第一硅衬底顶表

面的氧化硅层，以及设置于所述氧化硅层顶表面

的气敏电极，所述第一硅衬底和氧化硅层的中部

具有贯穿腔；发光单元，设置于所述第一硅衬底

的底表面，其包括第二硅衬底和设置于所述第二

硅衬底中部区域的自修复发光阵列及加热发光

阵列；所述自修复发光阵列和加热发光阵列均位

于所述贯穿腔内；本发明中的气体传感器结构简

单，一体性高，利用特定气敏材料的自修复性实

A现自修复，具有操作简单，稳定性好，使用寿命长

0的特点。

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N

C

CN118641590A权利要求书1/2页

1.一种自修复的气体传感器，其特征在于：包括，

气敏单元(100)，其包括第一硅衬底(101)，设置于所述第一硅衬底(101)顶表面的氧化

硅层(102)，以及设置于所述氧化硅层(102)顶表面的气敏电极(103)，所述第一硅衬底

(101)和氧化硅层(102)的中部具有贯穿腔(K)；

发光单元(200)，设置于所述第一硅衬底(101)的底表面，其包括第二硅衬底(201)、设

置于所述第二硅衬底(201)中部区域的缓冲层(202)，以及设置于所述缓冲层(202)上的自

修复发光阵列(203)及加热发光阵列(204)；

所述自修复发光阵列(203)和加热发光阵列(204)均位于所述贯穿腔(K)内。

2.根据权利要求1所述的自修复的气体传感器，其特征在于：所述气敏电极(103)包括

第一电极层(103a)、第二电极层(103b)和分别位于所述第一电极层(103a)和第二电极层

(103b)端部的电极引出端(103c)；

所述第一电极层(103a)和第二电极层(103b)二者整体呈梳子状，且二者的梳齿之间相

对错位且交叉配合，并保持有均匀的间隔(S)，两者互不接触。

3.根据权利要求2所述的自修复的气体传感器，其特征在于：所述第一电极层(103a)和

第二电极层(103b)的外部包覆有自修复气敏层(X)，所述自修复气敏层(X)采用具有自修复

性的气敏材料制成。

4.根据权利要求3所述的自修复的气体传感器，其特征在于：所述气敏电极(103)横置

于所述贯穿腔(K)的开口处；

所述自修复发光阵列(203)和加热发光阵列(204)发出的光经贯穿腔(K)照射于所述气

敏电极(103)上。

5.根据权利要求4所述的自修复的气体传感器，其特征在于：所述自修复发光阵列

(203)和加热发光阵列(204)均由若干个发光元件(300)连接组成，其中所述自修复发光阵

列(203)中的发